SFH485P
Abstract: OHLPY985
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
720-SFH485P
SFH485P
OHLPY985
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osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
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GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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GEX06971
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P Vorläufige Daten / Preliminary Data 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 1.8 1.2 3.85 3.35 Area not flat 0.6 0.4 Chip position Approx. weight 0.5 g fex06306 GEX06971
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Original
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fex06306
GEX06971
OHF00330
GEX06971
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GEXY6306
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEO06645
Abstract: GEX06239 LD271 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838 LD271 APPLICATIONS LD271 IR LED
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239
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Original
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fex06628
GEX06239
GEO06645
OHR01041
OHR00257
OHR01879
GEO06645
GEX06239
LD271
OHRD1938
Q62703-Q148
Q62703-Q256
Q62703-Q833
Q62703-Q838
LD271 APPLICATIONS
LD271 IR LED
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SFH495P
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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Q62703-Q2891
GEXY6971
GEXY6630
SFH495P
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GEO06645
Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode
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Original
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fexf6626
GEO06645
fex06630
GEX06630
OHR01553
OHR00860
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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GEX06971
GEX06630
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p5050
Abstract: LED "1060 nm" "MA 3500" IC emitter "1060 nm" fototransistor led phototransistor 500-600 nm GEO06968 GEO06969 Q62702-P5031 Q62702-P5032
Text: NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3500/FA SFH 3505/FA 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Vorläufige Daten / Preliminary Data (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing
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Original
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3500/FA
3505/FA
GEO06968
GEO06969
OHF00346
OHF00384
OHF00349
p5050
LED "1060 nm"
"MA 3500" IC
emitter "1060 nm"
fototransistor led
phototransistor 500-600 nm
GEO06968
GEO06969
Q62702-P5031
Q62702-P5032
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osram ir ld 274
Abstract: E9548 Q65110A1434
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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Original
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
OHR01882
transistor SR 51
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CNX_480_1_BTP_12
Abstract: No abstract text available
Text: jJ ^ P R O V A L LED - Trim leads .250+010 6.4mm H DATE b it h .250±.01 CMC 441/443 CABLE ORDERING CODE (EXAMPLE): CLW 441 5mmLED Lockwasher CMS 442/444 Water Tight NEMA4 CNX 440 E02 4 1 12 CNX 440 LED Connector I TERMINATION pane| Hole: 5/16" (8.0mm) Panel thickness .032" to .125" (,80mm to 3.2mm)
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94-VO
CNX_480_1_BTP_12
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SFH 485-2
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29
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GEX06271
GEX06305
SFH484
SFH 485-2
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LD271 IR LED
Abstract: LD271 APPLICATIONS IR LD271 siemens LD
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06239 Approx. weight 0.5 g Cathode 5.9 5.5 OO T— ¡a 0.6 0.4 Area not flat GE006645 Chip position Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06239
GE006645
Ie100
LD271,
LD271 IR LED
LD271 APPLICATIONS
IR LD271
siemens LD
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5mmled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Oe
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100mA
OHF00365
OHR00397
5mmled
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Gute Linearität /e = /[/p ] bei hohen Strömen • Sehr hoher Wirkungsgrad
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fl235b05
0DS7717
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrah lungsfluß <i>e
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OHR00397
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3500/FA SFH 3505/FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Semiconductor Group 1 1998-12-18 SFH 3500/FA SFH 3505/FA SIEMENS Wesentliche Merkmale
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3500/FA
3505/FA
FA/3505
3500/FA)
3505/FA)
PCE25
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