GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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Original
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
OHR01882
transistor SR 51
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260
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Original
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fex06260
GEX06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
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GEX06626
Abstract: GEX06984 Q62702-P5059 Q62702-P5060
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 0.6 0.4 5.7 5.1 SFH 4591 Chip position fex06260 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Area not flat
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fex06260
GEX06626
GEX06984
OHR00397
OHF00361
GEX06626
GEX06984
Q62702-P5059
Q62702-P5060
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Q62703-Q1031
Abstract: Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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fex06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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LD274
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im ● Extremely narrow half angle
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fex06260
LD274
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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isl 6251 schematic
Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.
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Q62702-A772
Q62702-A731
Q62702-A773
OT-23
isl 6251 schematic
smd transistor A4S
Siemens OFW 361
smd marking b4h
6Bs smd transistor
NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG
Transistors Diodes smd A7H
a4s smd transistor
npn transistor ss100
smd transistor 6Bs
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