osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
OHR01882
transistor SR 51
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260
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fex06260
GEX06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
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Q62703-Q1031
Abstract: Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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fex06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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isl 6251 schematic
Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.
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Q62702-A772
Q62702-A731
Q62702-A773
OT-23
isl 6251 schematic
smd transistor A4S
Siemens OFW 361
smd marking b4h
6Bs smd transistor
NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG
Transistors Diodes smd A7H
a4s smd transistor
npn transistor ss100
smd transistor 6Bs
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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LD274
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: LD 274 LD 274 fex06260 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im ● Extremely narrow half angle
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fex06260
LD274
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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GEX06051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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OHR01882
GEX06051
GEX06051
OHRD1938
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 Features: • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Same package as SFH 484 • • • • Applications
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D-93055
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GEX06048
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 LD274
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED
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OHR01882
GEX06048
GEX06048
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
LD274
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FP 310
Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Text: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26
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6N135
6N136
6N138
6N139
BPW21
H62702-P3051
Q62702-P3009
Q62702-P3057
Q62702-P3058
Q62702-P3054
FP 310
Q62902-B155-F222
Siemens LS 3369-fh
irl 3034
SCF 5784
KTY 11-5
KTY 20-5
KTY 14-6
Q68000-A7820
LG 57A
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Sehr enger Abstrahlwinkel • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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OHR01041
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LD275 led
Abstract: MARKING 73 LD275 A235L SFH 567 siemens LD LD274
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 LD 275 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Sehr enger Abstrahlwinkel LD 274 • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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LD274
LD275
A23SbG5
DGS777L
2741re!
235b05
D0S7777
LD275 led
MARKING 73
LD275
A235L
SFH 567
siemens LD
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bpy 79
Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Text: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2
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BPW21
Q62702-P75
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
62702-P781
Q62702-P84
Q62702-P1605
Q62702-P885
bpy 79
irl 3034
bestellnummern-verzeichnis
Q62702-P1187
bf 478
Q62702-P935
Q62607-S61
sfh siemens
SFH415-T
siemens Bestellnummern-Verzeichnis
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KTY 88
Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code
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Q60215-Y111-S5
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q60215-Y63-S1
Q60215-Y65
Q60215-Y66
Q60215-Y67
Q62607-S60
KTY 88
KTY 20-6
Q62902-B152-F222
Q62902-B156-F222
Q62703-N0191
Q62902-B155
Q62702-P1088
Q62702P946
Q62703-N209
Q62902-B155-F222
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Q1031
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 A re a not flat 5.9 5.5 0.4 GEX06260 Collector Transistor Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale Features
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GEX06260
Q1031
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SFH 255 FA
Abstract: LR 2703 LY3360K dl340m FP310L100-75 Q68000-A8452
Text: AlphanumerischesTypenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems type Bestellnummer Seite Type Bestellnummer Seite
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068000-A5018
Q68000-A5017
Q68000-A5707
Q62703-N26
Q62703-N51
Q62703-N52
Q68000-A7302
Q68000-A7303
Q68000-A7304
Q68000-A8086
SFH 255 FA
LR 2703
LY3360K
dl340m
FP310L100-75
Q68000-A8452
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Q62703-Q66
Abstract: LD 263
Text: IR-Lumineszenzdioden Infrared Emitters 1. GaAs-IRED 1. GaAs IRED 1.1 im Plastikgehäuse Xpeak = 950 nm Vf = 1 ,3 V (/f = 100 mA) 1.1 in plastic package (Xpeak = 950 nm) VT = 1.3 V ( / F = 100 mA) h Bestellnum m er deg. mW/sr O rdering code ±30 2 . . . 6.3
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62703-Q395
Q62703-Q66
Q62703
Q62703-Q70
Q62703-Q71
Q62703-Q72
Q62703-Q73
Q62703-Q74
Q62703-Q75
Q62703-Q76
LD 263
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6022C
Abstract: Q62702-P790 242L Q62703-Q71
Text: Infrared Emitters IR-Lumineszenzdioden 1. GaAs IRED 1. GaAs IRED Type Package <P deg. Fig. mW/sr 1.1 in p la s tic p a c k a g e X ^ ak = 950 n m VF = 1.3 V ( / F= 100 m A ) 1.1 im P la s tik g e h ä u s e (Xpoak = 950 n m ) VF = 1,3 V ( / F= 100 m A )
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Q62703-Q395
Q62703-Q67
Q62703-Q70
Q62703-Q71
Q62703-Q72
Q62703-Q73
Q62703-Q74
Q62703-Q75
Q62703-Q76
Q62703-Q77
6022C
Q62702-P790
242L
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