osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
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GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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Original
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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Original
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
OHR01882
transistor SR 51
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260
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fex06260
GEX06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED
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GEXY6051
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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GEX06051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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OHR01882
GEX06051
GEX06051
OHRD1938
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 Features: • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Same package as SFH 484 • • • • Applications
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D-93055
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GEX06048
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 LD274
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED
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OHR01882
GEX06048
GEX06048
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
LD274
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