GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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Original
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
OHR01882
transistor SR 51
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.8 1.2 29 27 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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PDF
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fex06626
GEX06260
fexf6626
OHF02336
OHF02342
OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1753
Q62702-P1754
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260
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Original
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PDF
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fex06260
GEX06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
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GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
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Original
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GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
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Original
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PDF
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OHR00883
OHF01026
GEX06260
GEX06260
Q62702-P1671
Q62702-P930
SFH213FA
870nm
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Q62702-P1667
Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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PDF
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OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1754
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foto transistor
Abstract: OHF02331 p1752 phototransistor 500-600 nm GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753
Text: SFH 313 SFH 313 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4
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Original
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fex06626
GEX06260
fexf6626
OHF02336
OHF02342
OHF02340
foto transistor
OHF02331
p1752
phototransistor 500-600 nm
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1753
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Neu: NPN-Silizium-Fototransistor SFH 313 SFH 313 FA New: Silicon NPN Phototransistor .O -'“ ’ Area not flat 9.0 5.9 5.5 0.6 0.4 5.1 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) GEX06260 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified.
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GEX06260
313FA,
OHFD2336
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA CO CM Û O CO Area not flat 0.6 0 .4 Cathode (Diode Collector (Transistor) GEX06260 (O (O (O C\J Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06260
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Q1031
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 A re a not flat 5.9 5.5 0.4 GEX06260 Collector Transistor Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale Features
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GEX06260
Q1031
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