5SDF01R2501
Abstract: 5SGA 5SGA30J2501 RTK 031
Text: A S Y M M E T R I C _ G T Q T H Y R I S T O R S - ± X 0 GTO - Patentierter freier Druckkontakt. - Alle GTOs werden unter Ausschalt grenzwerten getestet. - Ausgezeichnete O ptimierung zwiscl Durchlass- und Schaltverlusten. - Spezifizierte Höhenstrahlungsfes
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01R2501
05D2501
05D2501
15F2502
20H2501
25H2501
30J2501
20H4502
11F2501
03D4501
5SDF01R2501
5SGA
5SGA30J2501
RTK 031
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ABB GTO
Abstract: stud type diodes fjs 500
Text: Fast Recovery Diodes ABB Semiconductors AG I - O ptim ized for fast and soft turn-off. Sm all reverse recovery charge. High d i/d t capability at turn-off. Range optim ally suited for G TO applications. O ptim iertes schnelles und weiches Ausschaltverhalten.
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05D2501
11F2S01
45x100
ABB GTO
stud type diodes
fjs 500
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ABB 5SGA
Abstract: 2sh25 GTO ABB GTO gate drive unit 2SH2501 TJM 10 5sga 20h2501 ABB GTO R2501 5SGA 15F2502
Text: Asymmetrie GTO Thyristors ABB Semiconductors AG I Patented free-floating silicon technology. — All G TOs are turn-off tested under maxim um ratings. — Excellent trade-off between on-state and switching losses. T yp e and ordering num ber V DRM V DC V RRM •tGQM at C s
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15F2502
15F2502
05D2501
01R2501
20H2501
05D2501
11F2501
25H2501
ABB 5SGA
2sh25
GTO ABB
GTO gate drive unit
2SH2501
TJM 10
5sga 20h2501
ABB GTO
R2501
5SGA 15F2502
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R2501
Abstract: 01R25 71B0200 ABB GTO ci d 4800 r2503 5SDF01R2502 08F4500 b0200 5SDF
Text: Fast Recovery Diodes ABB Semiconductors AG I O ptim ized fast and soft turn-off. Sm all reverse recovery charge. High di/dt capability at turn-off. Range optim ally suited for GTO applications. > T yp e and ordering num ber O ptim iertes schnelles und weiches
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VRRM/100V
01R2501
5SDF01R2502
14urer
3x100
45x100
R2501
01R25
71B0200
ABB GTO
ci d 4800
r2503
08F4500
b0200
5SDF
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05D2500
Abstract: GTO ABB GTO gate drive unit ABB GTO gate unit ABB GTO 30L2501 25H2501 05D250 5SDF GTO 6.5 KV
Text: Asymmetrie GTO Thyristors ABB Semiconductors AG I - P atentierter freier Druckkontakt. - Alle G TO s werden unter A usschalt G renzw erten getestet. - Ausgezeichnete O ptim ierung zw ischen Durchlass- und Schaltverlusten. - G arantierte R ückw ärts-AvalancheBelastbarkeit.
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15F2502
5D25DQ
01R2501
01R2501
20H2501
05D2500
11F2500
01R25D1
25H25C1
GTO ABB
GTO gate drive unit
ABB GTO gate unit
ABB GTO
30L2501
25H2501
05D250
5SDF
GTO 6.5 KV
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5SDD71B0200
Abstract: stud type diodes ABB GTO R2501 08F4500 71B0200
Text: Fast Recovery Diodes ABB Semiconductors AG I Optimized fast and soft turn-off. Small reverse recovery charge. High di/dt capability at turn-off. Range optimally suited for GTO applications. Type and ordering number Optimiertes schnelles und weiches Ausschaltverhalten.
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VRRM/100V
01R2501
01R2502
001bfi3fl
Fig-10
3x100
45x100
5SDD71B0200
stud type diodes
ABB GTO
R2501
08F4500
71B0200
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FSV 052
Abstract: No abstract text available
Text: F A S T R E C O V E R Y _ D - I O D E S - O ptim iert für schnelles und weiches Ausschaltverhalten. - Kleine Speicherladung. - Hohes zulässiges d i/d t beim Aus schalten. - Vollständiges Sortiment für den Einsatz mit GTOs.
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05D2505
11F2501
07F4501
13H4501
5SDF14H4505
10H6004
01R2501
01R2502
01R2503
01R2504
FSV 052
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