osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4257 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse
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Original
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720-SFH4257-Z
4257-Z
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GPLY6880
Abstract: sideled OHF04132
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
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Original
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OS-PCN-2009-021-A2
OS-PCN-2009-021-A2
GPLY6880
sideled
OHF04132
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GPL06899
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4281 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ιe = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich
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Original
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GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62702-P0330
Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
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Original
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OHR00883
OHF01026
GEX06260
GEX06260
Q62702-P1671
Q62702-P930
SFH213FA
870nm
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GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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850 nm LED
Abstract: GEOY6648 Q62702-P946 Q62702-P947 A T R Industrie-Elektronik GmbH
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 P und bei
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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ipc 9501
Abstract: radiant 4010
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter SFH 4010 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: LxBxH 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
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Original
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950nm
ipc 9501
radiant 4010
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transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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GEXY6260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
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Original
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GEXY6260
GEXY6260
Q62702-P1671
Q62702-P930
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TOPLED with Lens
Abstract: GEOY6956 Q62702
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
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GPLY6057
Abstract: J-STD-020B OHLA0687 OHPY1301
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
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GEOY6956
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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SFH 340
Abstract: GEXY6630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)
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GEXY6630
SFH 340
GEXY6630
Q62702-P1672
Q62702-P922
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Q62702-P1819
Abstract: 0083CA
Text: GaAlAs-IR-Lumineszensdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung
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Original
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GPLY6965
Q62702-P1819
0083CA
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GPL06724
Abstract: GPL06880
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
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GPL06724
GPL06880
OHF00362
OHL01660
OHF00360
GPL06724
GPL06880
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4050 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4289 This data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-2010-033-A). Not to be used for design-in. Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • •
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OS-PCN-2010-033-A)
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 880 nm
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