GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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CIE1931
Abstract: Q62703-Q4450 T676-L2
Text: Opto Semiconductors Hyper TOPLED White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data ● ● ● ● ● ● ● ● GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler 120° ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
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Original
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CIE1931
VPL06724
soldering00448
OHL00522
GPL06724
CIE1931
Q62703-Q4450
T676-L2
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Q62703-Q2282
Abstract: Q62703-Q2288 Q62703-Q2329 Q62703-Q2617
Text: TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH T674 Besondere Merkmale Gehäusebauform : P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
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Original
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VPL06724
GPL06724
Q62703-Q2282
Q62703-Q2288
Q62703-Q2329
Q62703-Q2617
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GPL06724
Abstract: GPL06880
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
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Original
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GPL06724
GPL06880
OHF00362
OHL01660
OHF00360
GPL06724
GPL06880
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
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Original
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Q62703-Q4450
Abstract: CIE1931
Text: Hyper TOPLED White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data • • • • • • • • GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler 120° ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
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Original
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CIE1931
VPL06724
OHL00448
OHL00442
GPL06724
Q62703-Q4450
CIE1931
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Q62703-Q2383
Abstract: GPL06724 Q62703-Q2384 Q62703-Q2385 T679
Text: LC TOPLED Low Current LED LS T679, LY T679, LG T679 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
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Original
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VPL06724
T679-CO
GPL06724
Q62703-Q2383
GPL06724
Q62703-Q2384
Q62703-Q2385
T679
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T670-hk
Abstract: T670-J Q62703Q2475 Q62703-Q2358 LG T670-HK Q62703-Q2377 T670 q62703q2357 T670-JM q62703q2311
Text: TOPLED LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 ● ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
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Original
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VPL06724
GPL06724
T670-hk
T670-J
Q62703Q2475
Q62703-Q2358
LG T670-HK
Q62703-Q2377
T670
q62703q2357
T670-JM
q62703q2311
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Q62702-P0331
Abstract: opto 421 Q62702-P1055 GPL06724 GPL06880
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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Q62702-P1055
Abstract: GPL06880 GPL06724 Q62703-P0331
Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ SFH 421 SFH 426 fpl06724 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g
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Original
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fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
103ff.
169ff.
OHR00886
Q62702-P1055
GPL06880
GPL06724
Q62703-P0331
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GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P5165 Q62702-P978
Text: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4211 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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Q65110A2473
Abstract: GPL06724 GPL06880
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
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Original
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GPL06724
Abstract: T670
Text: BLUE LINETM TOPLED LB T670 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung in SiC-Technologie gefertigt in der Spektroskopie einsetzbar für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
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Original
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VPL06724
GPL06724
GPL06724
T670
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GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690
Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 typ 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g
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Original
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fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
103ff.
169ff.
OHR00860
GPL06724
GPL06880
Q62702-P0330
Q62702-P1690
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sfh 910
Abstract: SFH4233 SFH 4232
Text: High Power VCSEL-Laserdiode 920 nm im TOPLED-Gehäuse High-Power VCSEL Laser Diode (920 nm) in TOPLED Package SFH 4231 SFH 4232 SFH 4233 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarotsendediode in VCSEL-(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) Technologie
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Original
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OHF00891
OHF00892
GPL06724
GPL06930
sfh 910
SFH4233
SFH 4232
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FR4 substrat
Abstract: DIN 40839 Q62703-Q3140 Q62703-Q3141 Q62703-Q3142 Q62703-Q3143 Q62703-Q3164
Text: Hyper TOPLED Hyper-Bright, Hyper-Red TS GaAIAs-LED LH T676 Besondere Merkmale ● Gehäusebauform: P-LCC-2 ● Gehäusefarbe: weiß ● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie, VPL06724 ● ● ● ● ● ● transparentes Substrat TS besonders hohe Lichtstärke
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Original
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VPL06724
GPL06724
FR4 substrat
DIN 40839
Q62703-Q3140
Q62703-Q3141
Q62703-Q3142
Q62703-Q3143
Q62703-Q3164
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
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Original
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GPL06724
Abstract: GPL06880
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.9 0.7 0.8 0.6 Cathode/Collector marking fpl06724 1.1 0.5 3.7 3.3 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.18 0.6 0.12 0.4
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Original
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fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
OHF00362
OHL01660
OHF00360
GPL06724
GPL06880
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JE800
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM ENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 0.1 typ CM h* CO 0.18 0.12 Cathode/Collector marking O I Q. 0.4 SFH 4290 Cathode/Collector GPL06724 Collector Emitter GPLQ6880
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GPL06724
GPLQ6880
OHF00360
JE800
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siemens SFH nm
Abstract: I03f
Text: SIEMENS GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAIAs Infrared Emitter in SMT Package 3 < o0 a 3.0 0.1 typ 0.18 J | I 0.12 / JO .6 0.4 SFH 421 TO PLEDq Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g Collector SFH 421 SFH 426 GPL06724 Emitter Collector/Cathode marking
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GPL06724
I03ff.
169ff.
siemens SFH nm
I03f
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package SFH 320 SFH 320 FA C\J 1 ^ oO Q_ 2.1 0.1 (typ 1.7 0.9 0.7 CO CO 0.18 0.12 Approx. weight 0.03 < Cathode/Collector GPL06724 (M 1 ^ (O Maf3e in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified.
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GPL06724
OHF01402
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siemens SFH nm
Abstract: TCA 700 y C120 GPL06724 GPL06880 SFH4290 SFH4295
Text: - A n SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 CM 1 ^ CO O Q. SFH 4290 GPL06724 Collector/Cathode marking rto 00 C oD Q. SFH 4295 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GPL06724
GPL06880
Ie100mA
101s102
siemens SFH nm
TCA 700 y
C120
GPL06724
GPL06880
SFH4290
SFH4295
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 W ÈÈÈÊ C\J 1 ^ CO o Q_ C a th o d e /C o l le c to r SFH 4290 GPL06724 iS C o lle c to r E m itter Collector/Cathode marking
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PL06724
QHF00360
OHL01660
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