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    GPL06724

    Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    GPL06724

    Abstract: GPL06880
    Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector


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    GPL06724 GPL06880 OHF00362 OHL01660 OHF00360 GPL06724 GPL06880 PDF

    din 40839

    Abstract: A674-M Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 A674-L
    Text: SIDELED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung


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    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 din 40839 A674-M Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 A674-L PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen


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    Q62702-P0331

    Abstract: opto 421 Q62702-P1055 GPL06724 GPL06880
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    Q62702-P1055

    Abstract: GPL06880 GPL06724 Q62703-P0331
    Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ SFH 421 SFH 426 fpl06724 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g


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    fpl06724 GPL06724 GPL06880 fpl06867 103ff. 169ff. OHR00886 Q62702-P1055 GPL06880 GPL06724 Q62703-P0331 PDF

    GPL06724

    Abstract: GPL06880 Q62702-P5165 Q62702-P978
    Text: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit


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    Q62703-Q2546

    Abstract: Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832
    Text: Opto Semiconductors SIDELED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung


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    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 PDF

    Q62702-P1610

    Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01121
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei


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    OHL01660

    Abstract: MARKING LY Q62703-Q3255 Q62703-Q3242 Q62703-Q3122
    Text: Opto Semiconductors Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676 LY A676 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


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    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 OHL01660 MARKING LY Q62703-Q3255 Q62703-Q3242 Q62703-Q3122 PDF

    A674-M

    Abstract: Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832
    Text: SIDELED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung


    Original
    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 A674-M Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 PDF

    A672

    Abstract: No abstract text available
    Text: Super SIDELED High-Current LED LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Besondere Merkmale ● ● ● ● erhöhten Betriebsstrom ≤ 50 mA DC zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


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    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 A672 PDF

    LY A679

    Abstract: Q62703-Q2551 A679 GPL06880 Q62703-Q2545 Q62703-Q2554
    Text: LC SIDELED Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


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    12-mm-Filmgurt) VPL06880 A679-CO GPL06880 LY A679 Q62703-Q2551 A679 GPL06880 Q62703-Q2545 Q62703-Q2554 PDF

    lw 660

    Abstract: CIE1931
    Text: Opto Semiconductors Hyper SIDELED White LED LW A676 Vorläufige Daten / Preliminary Data ● ● ● ● ● ● ● ● GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler 120° ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7


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    CIE1931 VPL06880 OHL00448 OHL00442 GPL06880 lw 660 CIE1931 PDF

    A672

    Abstract: No abstract text available
    Text: Super SIDELED High-Current LED LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Besondere Merkmale ● ● ● ● erhöhten Betriebsstrom ≤ 50 mA DC zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


    Original
    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 A672 PDF

    A679

    Abstract: Q62703-Q2545 Q62703-Q2551 Q62703-Q2554
    Text: Opto Semiconductors LC SIDELED Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


    Original
    12-mm-Filmgurt) vpl06880 A679-CO OHL01675 GPL06880 A679 Q62703-Q2545 Q62703-Q2551 Q62703-Q2554 PDF

    Q65110A2473

    Abstract: GPL06724 GPL06880
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen


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    a670

    Abstract: A670-JM transistor a670 Q62703-Q3920 A670-FJ
    Text: SIDELED LS A670, LO A670, LY A670 LG A670, LP A670 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet 12-mm-Filmgurt


    Original
    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 a670 A670-JM transistor a670 Q62703-Q3920 A670-FJ PDF

    A676-J2

    Abstract: No abstract text available
    Text: BLUE LINETM Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LB A676 Besondere Merkmale VPL06880 • Gehäusefarbe: weiß • als optischer Indikator einsetzbar • zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung • für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


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    VPL06880 12-mm-Filmgurt) OHL00449 OHL00442 GPL06880 A676-J2 PDF

    A670

    Abstract: LP 570
    Text: SIDELED LS A670, LO A670, LY A670 LG A670, LP A670 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet 12-mm-Filmgurt


    Original
    12-mm-Filmgurt) VPL06880 GPL06880 A670 LP 570 PDF

    GPL06724

    Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690
    Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 typ 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g


    Original
    fpl06724 GPL06724 GPL06880 fpl06867 103ff. 169ff. OHR00860 GPL06724 GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 PDF

    A679

    Abstract: Q62703-Q2545 Q62703-Q2551 Q62703-Q2554
    Text: LC SIDELED Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet


    Original
    12-mm-Filmgurt) VPL06880 A679-CO OHL01675 GPL06880 A679 Q62703-Q2545 Q62703-Q2551 Q62703-Q2554 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen


    Original
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    GPL06724

    Abstract: GPL06880
    Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.9 0.7 0.8 0.6 Cathode/Collector marking fpl06724 1.1 0.5 3.7 3.3 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.18 0.6 0.12 0.4


    Original
    fpl06724 GPL06724 GPL06880 fpl06867 OHF00362 OHL01660 OHF00360 GPL06724 GPL06880 PDF