GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
|
PDF
|
GPL06724
Abstract: GPL06880
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
|
Original
|
GPL06724
GPL06880
OHF00362
OHL01660
OHF00360
GPL06724
GPL06880
|
PDF
|
din 40839
Abstract: A674-M Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832 A674-L
Text: SIDELED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
din 40839
A674-M
Q62703-Q2546
Q62703-Q2830
Q62703-Q2831
Q62703-Q2832
A674-L
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
Q62702-P0331
Abstract: opto 421 Q62702-P1055 GPL06724 GPL06880
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
|
PDF
|
Q62702-P1055
Abstract: GPL06880 GPL06724 Q62703-P0331
Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ SFH 421 SFH 426 fpl06724 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g
|
Original
|
fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
103ff.
169ff.
OHR00886
Q62702-P1055
GPL06880
GPL06724
Q62703-P0331
|
PDF
|
GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P5165 Q62702-P978
Text: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
|
PDF
|
Q62703-Q2546
Abstract: Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832
Text: Opto Semiconductors SIDELED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
Q62703-Q2546
Q62703-Q2830
Q62703-Q2831
Q62703-Q2832
|
PDF
|
Q62702-P1610
Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01121
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei
|
Original
|
|
PDF
|
OHL01660
Abstract: MARKING LY Q62703-Q3255 Q62703-Q3242 Q62703-Q3122
Text: Opto Semiconductors Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676 LY A676 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
OHL01660
MARKING LY
Q62703-Q3255
Q62703-Q3242
Q62703-Q3122
|
PDF
|
A674-M
Abstract: Q62703-Q2546 Q62703-Q2830 Q62703-Q2831 Q62703-Q2832
Text: SIDELED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH A674 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
A674-M
Q62703-Q2546
Q62703-Q2830
Q62703-Q2831
Q62703-Q2832
|
PDF
|
A672
Abstract: No abstract text available
Text: Super SIDELED High-Current LED LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Besondere Merkmale ● ● ● ● erhöhten Betriebsstrom ≤ 50 mA DC zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
A672
|
PDF
|
LY A679
Abstract: Q62703-Q2551 A679 GPL06880 Q62703-Q2545 Q62703-Q2554
Text: LC SIDELED Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
A679-CO
GPL06880
LY A679
Q62703-Q2551
A679
GPL06880
Q62703-Q2545
Q62703-Q2554
|
PDF
|
lw 660
Abstract: CIE1931
Text: Opto Semiconductors Hyper SIDELED White LED LW A676 Vorläufige Daten / Preliminary Data ● ● ● ● ● ● ● ● GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler 120° ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
|
Original
|
CIE1931
VPL06880
OHL00448
OHL00442
GPL06880
lw 660
CIE1931
|
PDF
|
|
A672
Abstract: No abstract text available
Text: Super SIDELED High-Current LED LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Besondere Merkmale ● ● ● ● erhöhten Betriebsstrom ≤ 50 mA DC zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
A672
|
PDF
|
A679
Abstract: Q62703-Q2545 Q62703-Q2551 Q62703-Q2554
Text: Opto Semiconductors LC SIDELED Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
vpl06880
A679-CO
OHL01675
GPL06880
A679
Q62703-Q2545
Q62703-Q2551
Q62703-Q2554
|
PDF
|
Q65110A2473
Abstract: GPL06724 GPL06880
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
a670
Abstract: A670-JM transistor a670 Q62703-Q3920 A670-FJ
Text: SIDELED LS A670, LO A670, LY A670 LG A670, LP A670 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet 12-mm-Filmgurt
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
a670
A670-JM
transistor a670
Q62703-Q3920
A670-FJ
|
PDF
|
A676-J2
Abstract: No abstract text available
Text: BLUE LINETM Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LB A676 Besondere Merkmale VPL06880 • Gehäusefarbe: weiß • als optischer Indikator einsetzbar • zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung • für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
VPL06880
12-mm-Filmgurt)
OHL00449
OHL00442
GPL06880
A676-J2
|
PDF
|
A670
Abstract: LP 570
Text: SIDELED LS A670, LO A670, LY A670 LG A670, LP A670 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet 12-mm-Filmgurt
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
GPL06880
A670
LP 570
|
PDF
|
GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690
Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 typ 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g
|
Original
|
fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
103ff.
169ff.
OHR00860
GPL06724
GPL06880
Q62702-P0330
Q62702-P1690
|
PDF
|
A679
Abstract: Q62703-Q2545 Q62703-Q2551 Q62703-Q2554
Text: LC SIDELED Low Current LED LS A679, LY A679, LG A679 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
|
Original
|
12-mm-Filmgurt)
VPL06880
A679-CO
OHL01675
GPL06880
A679
Q62703-Q2545
Q62703-Q2551
Q62703-Q2554
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
|
Original
|
|
PDF
|
GPL06724
Abstract: GPL06880
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.9 0.7 0.8 0.6 Cathode/Collector marking fpl06724 1.1 0.5 3.7 3.3 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.18 0.6 0.12 0.4
|
Original
|
fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
OHF00362
OHL01660
OHF00360
GPL06724
GPL06880
|
PDF
|