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    OHF00078 Search Results

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    BPX osram

    Abstract: GMOY6011 BPX61
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm


    Original     		PDF Q62705-P25 BPX osram GMOY6011 BPX61

    850 nm LED

    Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar


    Original     		PDF Q62702-P129 850 nm LED GEOY6647 Q62702-P129 S8050

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density


    Original     		PDF D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density


    Original     		PDF D-93055

    BPW34S

    Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
    Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing


    Original     		PDF feo06643 E9087) GEO06643 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 BPW34S E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050

    GEO06861

    Abstract: Q62702-P1605
    Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original     		PDF feo06862 GEO06861 OHF02284 OHF01778 OHF00082 OHF01402 GEO06861 Q62702-P1605

    Q65110A2626

    Abstract: No abstract text available
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)


    Original     		PDF Q65110A2626 Q65110A2626

    Q62702-P129

    Abstract: GEOY6647 S8050
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features


    Original     		PDF OHF01402 GEOY6647 Q62702-P129 GEOY6647 S8050

    GEOY6861

    Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)


    Original     		PDF

    Q62702-P1602

    Abstract: Q62702-P1790 Q62702-P73
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S R18R BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich


    Original     		PDF

    BPX61

    Abstract: GMOY6011 OHLY0598
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich


    Original     		PDF Q62702P0025 BPX61 GMOY6011 OHLY0598

    GEOY6861

    Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig


    Original     		PDF GEOY6861 GEOY6861 Q62702-P1605 OHF00078

    GEOY6647

    Abstract: OHLY0598 S8050
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse


    Original     		PDF Q62702P0129 GEOY6647 OHLY0598 S8050

    GEO06861

    Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig


    Original     		PDF OHF01402 GEO06861 GEO06861 Q62702-P1605 OHF02283

    OHF00078

    Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und


    Original     		PDF Q65110A2626 200any OHF00078 Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687

    E9087

    Abstract: Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW 40 BPW 14 A BPW34S S8050 BPW34 BPW 20 k
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S E9087 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm


    Original     		PDF E9087) GEO06863 GEO06916 E9087 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW 40 BPW 14 A BPW34S S8050 BPW34 BPW 20 k

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 206 K Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • 5 mm LED plastic package • Also available on tape and reel


    Original     		PDF D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 SR BPW 34 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density


    Original     		PDF D-93055

    OHF01066

    Abstract: bpw 104 BPW 34 datasheet bpw 50 Q65110A1209 BPW34S 34-s
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (R18R) BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich


    Original     		PDF

    GEOY6647

    Abstract: OHLY0598
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse


    Original     		PDF Q62702P0129 GEOY6647 OHLY0598

    bpw 104

    Abstract: E9087 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW34S
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S E9087 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm


    Original     		PDF E9087) GEOY6863 GEOY6916 bpw 104 E9087 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW34S

    GEO06647

    Abstract: Q62702-P129 sfh 206
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features


    Original     		PDF OHF00082 OHF01402 GEO06647 GEO06647 Q62702-P129 sfh 206

    GMOY6011

    Abstract: OHLY0598
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich


    Original     		PDF Q62702P0025 GMOY6011 OHLY0598

    Q62702-P1605

    Abstract: GEO06861
    Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original     		PDF feo06862 GEO06861 OHF02284 OHF01778 OHF00082 OHF01402 Q62702-P1605 GEO06861