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    GEO06861

    Abstract: Q62702-P1605
    Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF feo06862 GEO06861 OHF02284 OHF01778 OHF00082 OHF01402 GEO06861 Q62702-P1605

    Q62702-P1605

    Abstract: GEO06861
    Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF feo06862 GEO06861 OHF02284 OHF01778 OHF00082 OHF01402 Q62702-P1605 GEO06861

    GEO06861

    Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
    Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig


    Original
    PDF OHF01402 GEO06861 GEO06861 Q62702-P1605 OHF02283

    Fotodiode

    Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
    Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte


    Original
    PDF GEO06075 GEO06861 Fotodiode GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F

    GEO06861

    Abstract: OHFD1781 Q62702-P1646
    Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 FS 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Cathode lead feo06861 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm


    Original
    PDF feo06861 GEO06861 OHFD1781 OHF01778 OHF00082 OHF01402 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646

    GEO06075

    Abstract: GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104
    Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8


    Original
    PDF feo06075 feo06861 GEO06075 GEO06861 OHFD1781 OHF01778 OHF00082 OHF01402 GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104