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BPW34S Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050 Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing	Original	feo06643 E9087) GEO06643 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 BPW34S E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050	PDF
E9087 Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929 Text: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter	Original	feo06075 E9087) GEO06643 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929	PDF
GEO06643 Abstract: Q62702-P76 BPW33 IR 33 S7535 Text: Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm typ. 20 pA • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Features • Especially suitable for applications from	Original	Q62702-P76 OHF01402 GEO06643 GEO06643 Q62702-P76 BPW33 IR 33 S7535	PDF
GEO06643 Abstract: Q62702-P76 Text: Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 33 0.8 0.6 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6 0.4 0 . 5˚ Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Approx. weight 0.1 g	Original	feo06643 GEO06643 OHF00073 OHF01065 OHF00075 OHF01402 GEO06643 Q62702-P76	PDF
GEO06643 Abstract: GEO06863 Q62702-P1129 Q62702-P463 BPW 34 FAS Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 FA BPW 34 FAS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Neu: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter New: in SMT 0.6 0.4	Original	feo06075 feo06861 GEO06643 GEO06863 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 GEO06643 GEO06863 Q62702-P1129 Q62702-P463 BPW 34 FAS	PDF
bpw 104 Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1604 Q62702-P929 bpw+104 BPW34F Text: 0.8 0.6 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 F BPW 34 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8	Original	feo06075 feo06861 GEO06643 GEO06863 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 bpw 104 GEO06643 GEO06863 Q62702-P1604 Q62702-P929 bpw+104 BPW34F	PDF
E9087 Abstract: Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW 40 BPW 14 A BPW34S S8050 BPW34 BPW 20 k Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S E9087 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm	Original	E9087) GEO06863 GEO06916 E9087 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW 40 BPW 14 A BPW34S S8050 BPW34 BPW 20 k	PDF
p945 Abstract: transistor p945 ir p945 p945 transistor GEO06643 Q62702-P945 Text: Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 B 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6	Original	feo06643 GEO06643 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 p945 transistor p945 ir p945 p945 transistor GEO06643 Q62702-P945	PDF
E9087 Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1129 Q62702-P1829 Q62702-P463 BPW 34 FAS Text: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 FA BPW 34 FAS BPW 34 FAS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Neu: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter	Original	feo06075 E9087) GEO06643 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1129 Q62702-P1829 Q62702-P463 BPW 34 FAS	PDF
GEO06643 Abstract: Q62702-P945 Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte	Original	OHF01402 GEO06643 GEO06643 Q62702-P945	PDF
feo06643 Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050 Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 BPW 34 S feo06643 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8 0.6 0.6 0.4 0.35 0.2 0.5 0.3 0 . 5˚ 5.08 mm	Original	feo06643 feo06862 GEO06643 GEO06863 OHF00080 OHF00081 OHF00082 OHF01402 feo06643 GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050	PDF
BPW 34 datasheet Abstract: E9087 Q62702-P1129 Q62702-P1829 Q62702-P463 BPW34 BPW 40 BPW 34 FAS Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34 FA, BPW 34 FAS, BPW 34 FAS E9087 BPW 34 FA BPW 34 FAS BPW 34 FAS (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich	Original	E9087) GEO06863 GEO06916 BPW 34 datasheet E9087 Q62702-P1129 Q62702-P1829 Q62702-P463 BPW34 BPW 40 BPW 34 FAS	PDF
E9087 Abstract: Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929 bpw photodiode Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS E9087 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm	Original	E9087) GEO06863 GEO06916 E9087 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929 bpw photodiode	PDF