216-CB
Abstract: MICA WAFER snap RIVET msts boitier to3 to220 mica 212-CB cb mica Leistungstransistor
Text: Montagesätze zur Isolation von Leistungstransistoren Mounting kits for insulation of power transistors MST 3 Art. Nr. Art. No. Art. n° MST 220 Ausführung Version Modele Gehäuse Case Boîtier Lieferumfang MSTS 220 Contents of delivery Matériel livré 1 Glimmerscheibe bzw.
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of mosfet BUZ 384
Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR
Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range
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MIL-STD-883,
MIL-STD-883;
of mosfet BUZ 384
BUZ MOSFET
thyristor capacitive discharge ignition
tig welding
transistor CF
leistungstransistoren
BUZ 338
SIEMENS MOSFET BUZ
Ignition weld tig
SIEMENS THYRISTOR
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
Text: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches
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BUW58
Abstract: BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263
Text: BUW 57 BUW 58 BUW 73 N P N -S iliziu m -Leistu n g stra n sisto ren V o r lä u f ig e D a te n B U W 57, B U W 58 und B U W 73 sind N PN -Silizium -Leistungstransistoren in D reifachdiffu sionstechnik im Gehäuse 3 A 2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch
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Q62702-U263
Q62702-U262
Q62702â
Q62901-B11-A
Q62901-B50
BUW58
BUW57
BUW73
Q62702
Q62901-B11-A
Q62901-B50
Q62702-U263
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l 129 v
Abstract: BD129 bd127 128bd bd128 0477A2 BD 127 V2412 127BD TFK BD 128
Text: BD 127 BD 128 BD 129 'V Silizium-NPN-Planar-Leistungstransistoren Silicon NPN Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein bei hohen Betriebsspannungen Applications: General at high supply voltages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Sperrspannung • High reverse voltage
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BD237
Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
Text: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power
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2DIN125A
150mA1)
BD237
BD 235
BD233
SD235
BD235
BD 100 V
BD 237
to 126 leistungstransistoren
32-DIN
BD NPN transistors
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2N3054
Abstract: U116 transistor 2n
Text: 2 N 3054 N icht für N e u e n t w ic k l u n g NPIM -Leistungstransistor fü r IM F-Verstärkerund S c halteran w en dungen 2 N 3 0 5 4 ist ein ein fa c h d iffu n d ie rte r N P N -S iliz iu m -T ra n s is to r im G e h ä u s e T O -6 6 . D er K ollektor
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Q62702-U116
Q62902-B11-A
Q62902-B11-B
200mA
180mA
160mA
120mA
100mA
2N3054
U116
transistor 2n
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BD436
Abstract: BD 434 B0436 d341 LT 436 BD434
Text: BD 434 - BD 436 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannung speziell für Autoradiobetrieb Features: • Low supply voltage especially tor automobil radio
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KT922B
Abstract: kt322a Funkamateur kt922 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation IC 922 IC f 922 KT912 kt922a HF Leistungstransistor
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 922 Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TGL 35408 UdSSR Grenzwerte P a r a m e te r B e d in g u n g e n Kurzcharakteristik T yp K u r z z e ic h e n K o lle k to r/B a s is -S p a n n u n g 1
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-S22A
300mA
250mA
KT322
150mA
-50mA
KT922B
kt322a
Funkamateur
kt922
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
IC 922
IC f 922
KT912
kt922a
HF Leistungstransistor
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tfk 135
Abstract: bd139 tfk BD 139 140 BD 139 N tfk bd 137 j BD 139 TFK bd139 tfk 136 BD139 bd 135
Text: V BD 135 • BD 137 • B D 139 Silicon NPN Epitaxial Planar Power Transistors Anw endungen: Allgemein Im NF-Bereich Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W
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erlegscheibe32D
N125A
tfk 135
bd139 tfk
BD 139 140
BD 139 N
tfk bd 137 j
BD 139
TFK bd139
tfk 136
BD139
bd 135
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TRR25-10XX2
Abstract: TRR 100-12xx2 transistor c282 trr 30-06xx2 TRANSISTOR BIPOLAIRE 75-10xx2 06XX2 50-10XX2 5012-X ISOLA DE 156
Text: A S E A B R Oü JN /AB B □□40300 S.ENICOÎ' □□□□SOS Transistor-Module T R R . Transistor-Modules TRR. 2 Leistungstransistoren mit 2 Freilaufdioden 2 Power transistors with 2 free wheeling diodes 1 J V - 5 3 ' o I Transistor Type/Type ATRR ATRR
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25-10xx2
30-06xx2
50-06XX2
50-10xx2
50-12XX2
75-10x
200-10XX2
300-10xx2
10-04L5
TRR25-10XX2
TRR 100-12xx2
transistor c282
trr 30-06xx2
TRANSISTOR BIPOLAIRE
75-10xx2
06XX2
5012-X
ISOLA DE 156
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Vorwort Mit diesem neuen Datenbuch stellen wir Ihnen das aktuelle Produktspektrum der SIPMOS-Leistungstransistoren und Di oden vor. Das Buch beinhaltet alle derzeit bekannten Neuerungen, Verbesserungen und W eiterentwicklungen auf diesem Ge biet. Mit der Herausgabe dieses Buches wer
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leistungstransistoren
Abstract: bup314d buz 342 G siemens 230 95 O BUP 307D BUZ,350 BUZ,271 BUP400D bup313d BUP314
Text: SIEMENS Gehäuseübersicht Package Information N-Kanal Leistungstransistoren N Channel Power Transistors D i A PN \ ° s TO-220 AB *D S ^ D S o n V 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 60 60 60 60 60 100 100 100 100 100 100 100 100 Q 10 18 23 28 m
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O-220
BUZ12A
BUZ11S2
BUZ10S2
O-218
346S2
BUP410D
leistungstransistoren
bup314d
buz 342 G
siemens 230 95 O
BUP 307D
BUZ,350
BUZ,271
BUP400D
bup313d
BUP314
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siemens dioden
Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .
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SIL00001
MILSTD-883,
siemens dioden
leistungstransistoren
thyristor capacitive discharge ignition
Leistungsdiode
car ignition circuit diagram
of mosfet BUZ 384
car ignition
chip die npn transistor
Siemens Halbleiter
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siemens dioden
Abstract: siemens datenbuch
Text: SIEMENS SIPMOSHalbleiter Leistungstransistoren und Dioden Datenbuch 1993 / 94 SIPMOS Semiconductors Power Transistors and Diodes Data Book 1993 / 94 Herausgegeben von Siemens AG, Bereich Halbleiter, Marketing-Kommunikation, Balanstraße 73, 81541 München.
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AD149
Abstract: ad 149 valvo transistoren valvo OC 74 germanium transistor valvo oc 26 valvo transistor valvo transistoren germanium AD-149 valvo germanium
Text: AD 149 GERMANIUM - PNP - NF - LEISTUNGSTRANSISTOR Mechanische Da ten; Gehäuse: Metall, JEDEC T0-3 3 A 2 DIN 41 872 Der Kollektor ist mit dem Gehäuse leitend verbunden. Für isolierten Einbau können Gl immerscheibe Typ P und Isolier buchsen (Typ C) gelie
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-0t25
AD149
ad 149
valvo transistoren
valvo
OC 74 germanium transistor
valvo oc 26
valvo transistor
valvo transistoren germanium
AD-149
valvo germanium
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AD162
Abstract: AD161 ad 162 AD 161 valvo transistoren valvo AD-161 germanium transistoren ScansUX7 ad161ad
Text: AD 162 GERMANIUM - PNP - NF - LEISTUNGSTRANSISTOR für Endstufen, als Transistorpaar für Gegentakt-B-Schaltungen, mit AI 161 als komplementäres Paar Mechanische Daten: GehKuse: Metal1 9 A 2 nach DIN 41875 Der Kollektor ist mit dem Metal1gehäuse 1e itend verbunden.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: ASSMANN Transistor-Fassungen E le ctro n ic C o m p o n e n ts Fassungen fur Leistungstransistoren im Gehause Sockets Transistor-Fassungen Transistor sockets for power-transistors TO-3 „ 010.3 * 40 -3 0 ,2 22.5 - M 3 {2 x R 0,5 •£ 5,08 Art. Nr. Part no.
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tfk 138
Abstract: tfk 136 tfk 140 BD 140 tfk 135 3 TFK 140 BD 139 140 72050 tfk bd 138 BD136
Text: BD 136 • BD 138 • BD 140 Silicon PNP Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W Features: • Power dissipation 8 W
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BC 677
Abstract: Tfk 680 BD675 bc 681 BD677 BD681 BD 677 BD 681 2DIN125A 2mA80
Text: V BD 675 • BD 677 • BD 679 •BD 681 Silizium-NPN-Darlington-Leistungstransistoren Silicon NPN Darlington Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Sehr hohe Stromverstärkung Features: • Very high current transfer ratio
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BD675
BD677
BD679
BD681arecomple-mentÃ
BD678,
BD680,
BD682
mentarytoBD676
BD678
BD680
BC 677
Tfk 680
bc 681
BD681
BD 677
BD 681
2DIN125A
2mA80
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BD NPN transistors 177
Abstract: IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a
Text: BD 175 • BD 177 • BD 179 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anw endungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Allgemein im NF-Bereich Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range
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CEOsus80
BD NPN transistors 177
IC 74157
BD 2418
BD179
BD175
BD177
bd 175
236 TFK
BD176
din 125a
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buy 95
Abstract: BUY77 U151 BUY78 BUY79 Q62901-B11-A Q62901-B50
Text: BUY 77 BUY 78 BUY 79 NPN-Silizium -Leistungstransistoren B U Y 77, B U Y 78 und B U Y 79 sind dreifachdiffundierte NPN-Siiizium-Leistungstransistoren im Gehäuse 3 A2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren eignen sich besonders als schnelle Leistungsschalter bei hohen Spannungen,
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BUY77,
BUY78
BUY79
Q62702-U151
Q62702-U152
Q62702-U153
Q62901-B11-A
Q62901-B50
buy 95
BUY77
U151
Q62901-B50
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BD441
Abstract: bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439
Text: « BD 437 • BD 439 • BD 441 'W Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power
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N125A
BD441
bd 426
BD 440 NPN transistors
BD437
BD - 100 V
BD 439
437 bd
ic 437
BD439
B0439
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A1306 TRANSISTOR
Abstract: t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor
Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E J> • -fZ 3 ? - û l ÔB3SbQS DOlSfciBR û BISIEG Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancement types in plastic package T0-220 AB Typ Type ^DS max fc(max)
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O-220
T0-220
C67078-
A1300-A2
A1329-A2
A1301-A2
BUZ11
A1301-A3
A1330-A3
A1331-A2
A1306 TRANSISTOR
t a1306
A1306A
A3206A
A1316-A3
A1318
A1309
a1328
A1013
A1300 transistor
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