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BYS 045 Abstract: BYS 045 v 72 BYY 56 byy 24 byy 57 1200 D 400 2200 E VRRM VRSM VBR byy 48 2209 n DA 6/1400 Text: Low Power Diodes Kleine Leistungsdioden Rectitier diodes Type VRRM V IFSM A IFAVM A trr °C/W tvj max °C 6 - 150 IFSM A IFAVM tvj max °C 10 ms, tvj = tvj max D 6/ 1200.1600 100 Controlled avalanche diodes Type VRRM V VBR A A 10 ms, tA = 45°C tvj = tvj max	Original		PDF
TDA4646 Abstract: VON50 nf schaltungen tda 4646 Text: Einfache Pumpschaltung mit Sinusdrossel Oberschwingungsarm Die Autoren, Dipl.-Ing. ANDREA UNSELD S+M und Dipl.-Ing. PETER PRELLER (Bereich Halbleiter), sind als Entwicklungsingenieure tätig. Bei Schaltnetzteilen ist der Netzeingangsstrom nicht sinusförmig wie	Original	B82614 TDA4646 VON50 nf schaltungen tda 4646	PDF
SKiip 83 EC 125 T1 Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1 Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen	Original		PDF
of mosfet BUZ 384 Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range	Original	MIL-STD-883, MIL-STD-883; of mosfet BUZ 384 BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode Text: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches	Original		PDF
METRAHit 29s Abstract: Bedienungsanleitung metrahit 16 METRAHit 16 Bedienungsanleitung metrahit 17 METRAHit 28s METRAHit 14 Bedienungsanleitung metrahit 15 Z203A METRAHit 17 METRAHit 15 s Text: METRA 28S und 29S Präzisions-Digital-Multimeter, Leistungsmeßgerät G O S M SE ET N CA RA M W IL A LE TT BA U ER vorläufiges Datenblatt 26.8.97 Merkmale • • • • • • Präzisionsmultimeter V, dB, A, Ω, F, Hz, °C Leistungsmeßgerät (W, Var, VA, Wh, PF: nur METRAHit 29S)	Original	RS232 R0001 D-90327 D-90471 SI232 6/500G P0001 METRAHit 29s Bedienungsanleitung metrahit 16 METRAHit 16 Bedienungsanleitung metrahit 17 METRAHit 28s METRAHit 14 Bedienungsanleitung metrahit 15 Z203A METRAHit 17 METRAHit 15 s	PDF
tellerfedern Abstract: Dioden Tabelle SKN 2700 gleichrichterdiode tellerfeder semikron tse 7500 3300 Leistungstransistor electrolube bzw15 Text: 8. Gleichrichterdioden Besondere Merkmale Typische Anwendungen Kunststoffgekapselte Kleindioden • Sperrspannungen bis 1700 V • Universal-Gleichrichterdioden • Axialdioden, gegurtet für automatische Bestückung • Beschaltungsdioden RCD Dioden mit Gewindestutzen	Original		PDF
200w subwoofer circuit Abstract: transistor subwoofer circuit diagram manual de transistores 200w subwoofer circuit pcb 2.1 subwoofer diagram 100w amp pcb 200W audio amplifier AMPLIFICADOR DE POTENCIA TRANSISTOR BC547 200w power amplifier PCB velleman K8060 200w subwoofer preamp diagram Text: Total solder points: 74 Difficulty level: beginner 1 ¸ 2 ¸ 3 ¸ 4 ¸ 5 Z advanced 200W DISCRETE POWER AMPLIFIER K8060 or r system tre e k a e p s me thea r active Ideal fo guitar amp, ho , etc. fer, amp subwoo s, instrument m syste ILLUSTRATED ASSEMBLY MANUAL	Original	K8060 H8060IP-1 H8060B 200w subwoofer circuit transistor subwoofer circuit diagram manual de transistores 200w subwoofer circuit pcb 2.1 subwoofer diagram 100w amp pcb 200W audio amplifier AMPLIFICADOR DE POTENCIA TRANSISTOR BC547 200w power amplifier PCB velleman K8060 200w subwoofer preamp diagram	PDF
100nF Kondensator Abstract: 500 wd 4 siemens matsushita kondensator Leistungsdiode Keramikkondensator iC-WD-SO8 TOKO 10RF459 B78108-S1224-J E001 G003 Text: iC-WD, iC-WDS ABWÄRTSWANDLER MIT 5V-LÄNGSREGLERN EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ 5V-Spannungsversorgung aus dem 24V-Industrienetz ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ◊ ◊ Eingangsspannung 8.30 36 Vdc Abwärtswandler mit hohem Wirkungsgrad Schalttransistor und Freilaufdiode integriert	Original	100kHz 200mA/25mA 100nF Kondensator 500 wd 4 siemens matsushita kondensator Leistungsdiode Keramikkondensator iC-WD-SO8 TOKO 10RF459 B78108-S1224-J E001 G003	PDF
100-kHz-Oszillator Abstract: transistor SMD t04 Keramikkondensator DIODE SMD t04 siemens matsushita kondensator smd T04 Leistungsdiode DFN10-Geh SO8G Applikationsh Text: iC-WD A/B/C ABWÄRTSWANDLER MIT 2FACH-LÄNGSREGLERN Ausgabe D1, Seite 1/12 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ 5- bzw. 3.3-VSpannungsversorgung z. B. aus dem 24-V-Industrienetz ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Eingangsspannung 8 bis 36 Vdc Abwärtswandler mit hohem Wirkungsgrad	Original	100-kHz-Oszillator DFN10 transistor SMD t04 Keramikkondensator DIODE SMD t04 siemens matsushita kondensator smd T04 Leistungsdiode DFN10-Geh SO8G Applikationsh	PDF
stu 407 Abstract: siemens stu stu 407 dh siemens matsushita kondensator TOKO 10RF459 WD Demo-Board STU SIEMENS Keramikkondensator 100nF Kondensator zu 103 ma Text: iC-WD ABWÄRTSWANDLER MIT 5V-LÄNGSREGLERN EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN Eingangsspannung 8.30Vdc Abwärtswandler mit hohem Wirkungsgrad Schalttransistor und Freilaufdiode integriert Einstellung des Wandler-Abschaltstroms mit externem Widerstand Integrierter Oszillator ohne externe Komponenten	Original	30Vdc 200mA/25mA stu 407 siemens stu stu 407 dh siemens matsushita kondensator TOKO 10RF459 WD Demo-Board STU SIEMENS Keramikkondensator 100nF Kondensator zu 103 ma	PDF
k2500 mosfet Abstract: k2004 transistor K2500 k2500 mosfet transistor core k2004 FERRITE TOROIDAL CORE DATA ringkern 15 15 15 Si-Power smps mosfet k2500 Kaschke K2004 Text: Diese Vorlage ist als unverbindlicher Warenkatalog herausgegeben. Nachdruck - auch auszugsweise - ist nur mit unserer ausdrücklichen Zustimmung gestattet. Wir bitten um Verständnis, daß wir mit der Veröffentlichung von Bauteilen, Anwendungen und Verfahren in diesem Katalog keine Garantie dafür übernehmen können, daß diese frei von Rechten	Original	K2004 k2500 mosfet k2004 transistor K2500 k2500 mosfet transistor core k2004 FERRITE TOROIDAL CORE DATA ringkern 15 15 15 Si-Power smps mosfet k2500 Kaschke K2004	PDF
Leistungsdiode Abstract: Diodes de redressement Text: Kleine Leistungsdioden Low power diodes Diodes de faible puissance Gleichrichterdioden Typ Rectifier diodes Type Vrrm I fa v m Ifs m V Outline Dimension A 160 O J ÎI *1200 D6 / ‘v Typ 1400 ' a ï i i f e . i r . If s m tA = 4 5 °C V A •• < 1600	OCR Scan		PDF
gleichrichterdiode Abstract: REDRESSEMENT Gleichrichter 1000 v fast recovery rectifier diodes Diodes de redressement Text: Kleine Leistungsdioden Low power diodes Diodes de faible puissance Gleichrichterdioden Rectifier diodes Diodes de redressement Typ Type I fsm Ifavm trr tvj max A MS °c Maßbild Outline Dimension t = 10 ms tv, = Wj max A 160 i-so"•' j ?- 100 150 98 If a v m	OCR Scan	1600s; gleichrichterdiode REDRESSEMENT Gleichrichter 1000 v fast recovery rectifier diodes Diodes de redressement	PDF

D668N Abstract: D798N400 d629n D4409 Leistungsdiode d452 BYY 56 D4409N D668N2000 D668 Text: A E G - A K T I EN GE SEL LS CHAFT 17E D • QOBWS 1 ■ AEGG Leistungsdioden Power diodes Diodes de puissance Typ Type V rrm If r m s m V' A If s m /¡ 2dt t-10nn* «vp •vjnnax 45°C t-IOnn* M" 45°G •vjmax kA kA fl?S A*s If a v m / ì c If a v m V TO	OCR Scan	tA-45 BYY57/ BYY58/ 20x20 100x125 D24NR 41/mln. D668N D798N400 d629n D4409 Leistungsdiode d452 BYY 56 D4409N D668N2000 D668	PDF
AEG T 51 N 1200 Abstract: X103 D639S Leistungsdiode aeg tt 46 n 1200 X10378 D44SR D211 AEG tt 45 F 800 D52SR Text: A E G CORP 17E D • 002=1421, 000T333 T ■ -7 - - 03~0l Schnelle Leistungsdioden Fast power diodes Diodes de puissance rapides Typ Type If r m s m V rhm t=10n ni A V D 17 S D17SR 0 21 S D21 SR D 30 S D30SR D44S D44SR D 52 S D52SR D 67 S D67SR D 100 S D 100 SR	OCR Scan	180-al. D17SR D30SR D689S AEG T 51 N 1200 X103 D639S Leistungsdiode aeg tt 46 n 1200 X10378 D44SR D211 AEG tt 45 F 800 D52SR	PDF
D210S Abstract: Leistungsdiode D210SR D799S D101SR d 529 d 799 s D211 D649S AEGG Text: A E G-A KT IE NG E S EL L S C H A F T 17E D • 002^415 G Q Q Ì333 3 ■ AEGG Schnelle Leistungsdioden Fast power diodes Diodes de puissance rapides Typ Vrrm IpRMSM If s m t=10n 13 M= Type A V Jftft t=*10 If a v m /Ic V(T0 Tt Irrm R lh JC tvj“ tvjmax	OCR Scan	D17SR D30SR D0CH334 D210S Leistungsdiode D210SR D799S D101SR d 529 d 799 s D211 D649S AEGG	PDF
TRANSISTOR 132-gd Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes Text: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n	OCR Scan	06o3H TRANSISTOR 132-gd TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes	PDF
siemens dioden Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .	OCR Scan	SIL00001 MILSTD-883, siemens dioden leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter	PDF
EUPEC Thyristor Abstract: thyristoren Eupec thyristors catalog MOSFET Modules IGBT EUPEC mosfet catalog EUPEC Thyristor fast igbt catalog igbt thyristor eupec Text: Content Inhalt Page/Seite eupec Presentation eupec Präsentation 2 Further data sheets are available Terms of Delivery Lieferbedingungen 2 on request: High Power Components Hochieistungs Bauelemente IGBT High Power Modules IGBT Hochleistungsmodule 5 Thyristors for Phase Control	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik heft applikation heft mikroelektronik applikation a4100 Text: u Information Applikation rik K\|D se o Fififlkif^ii \k i il •' n r i r Information Applikation H e f t 4 6 : L B I S T U H Q 3 B L E K T R 0 H I K Bipolarer Leist ungschalttransistor T e i l 2 v b h a l iW t T w r f c fm kf urfc/odr imvibliomhinit mlhrortBlurBiii	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: elektronik DDR Scans-048 Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator DSAGER00065 Leistungsdiode Text: Inhalt \| Mailbox \| Elektronik \| Verkehr \| Markt \| Download \| Geld \| Suchen Pro-Elektron-Typenschlüssel Buchstabe A B C 1.Element 2.Element Halbleitermaterial Bauelement Germanium Silizium lichtemittierende Materialien D E F G H K L Diode Kapazitätsdiode	OCR Scan		PDF
UL224D30 Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15 Text: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen	OCR Scan		PDF
Leistungsdiode Abstract: "RECTIFIER DIODE" B2-380/340-30SI Text: Rectifier Diode Bridges Type V rrm V rms V Gleichrichterdioden Brücken Ifsm I favm "i"vj max A A °c V 10 ms, V Tyjmax B2 60/ 52-30 SI 150 60 B2 125/110-30 SI 300 125 B2 250/225-30 Si 700 250 B2 380/340-30 SI 1100 380 outline Last, load Charge: R/C 280 10/9	OCR Scan		PDF

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TDA4646

SKiip 83 EC 125 T1

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100nF Kondensator

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