GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094 OHR00878 OHR00886
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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fex06626
GEX06626
TV-s40
OHR00949
OHR01733
GEX06626
Q62703-Q1094
OHR00878
OHR00886
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GEX06626
Abstract: GEX06984 Q62702-P5059 Q62702-P5060
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 0.6 0.4 5.7 5.1 SFH 4591 Chip position fex06260 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Area not flat
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Original
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fex06260
GEX06626
GEX06984
OHR00397
OHF00361
GEX06626
GEX06984
Q62702-P5059
Q62702-P5060
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GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06626 Approx. weight 0.5 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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fex06626
GEX06626
con40
OHR00949
OHR01733
GEX06626
Q62703-Q1094
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GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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Original
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PDF
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OHR01733
GEX06626
GEX06626
Q62703-Q1094
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GEX06626
Abstract: No abstract text available
Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 Vorläufige Daten / Preliminary Data Area not flat Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 Approx. weight 0.5 g 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7
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Original
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GEX06626
OHF00362
OHF00365
OHF00361
GEX06626
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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Original
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OHR01733
GEX06626
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design opto interrupter
Abstract: Q62703Q1094 GEX06626 OHLY0598 Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEX06626
Abstract: OHLY0598 Q62703Q1094 SFH 486
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an
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Original
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E7517
Q62703Q1094
Q62703Q6175
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siemens SFH 960
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 A rea not flat 5.9 5.5 JX6 •w i S I 0.4 Anode GEX06626 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale
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