MMFTN123
Abstract: No abstract text available
Text: MMFTN123 MMFTN123 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-01-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1
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MMFTN123
OT-23
O-236)
UL94V-0
MMFTN123
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MMFTN3018W MMFTN3018W Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor Silizium N-Kanal MOS Feldeffekt-Transistor N N Version 2011-01-28 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 Type Code 1 1.25±0.1 2.1±0.1 3 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Power dissipation – Verlustleistung
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MMFTN3018W
OT-323
UL94V-0
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MMFTN170
Abstract: "igss 10 na"
Text: MMFTN170 MMFTN170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-01-28 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type
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Original
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MMFTN170
OT-23
O-236)
UL94V-0
MMFTN170
"igss 10 na"
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MMFTN138
Abstract: DSS50V
Text: MMFTN138 MMFTN138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2011-01-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1
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MMFTN138
OT-23
O-236)
UL94V-0
MMFTN138
DSS50V
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MMBT7002
Abstract: mmbt7002 sot-23
Text: MMBT7002 MMBT7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2011-02-01 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type Code
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MMBT7002
MMBT7002
OT-23
O-236)
UL94V-0
mmbt7002 sot-23
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MMBT7002W MMBT7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-02-01 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 Type Code 1 1.25±0.1 2.1±0.1 3 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Power dissipation – Verlustleistung
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MMBT7002W
MMBT7002W
OT-323
UL94V-0
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2N7000
Abstract: 10D3
Text: 2N7000 2N7000 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-02-16 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 S GD 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 350 mW Plastic case Kunststoffgehäuse
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2N7000
UL94V-0
2N7000
10D3
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ecg semiconductors master replacement guide
Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Text: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei
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mpc555 die
Abstract: 82C251 PCM-995 MPC555 RTC-8563 ic 67a smd X1D53 Funkamateur rtc ic 8563 fram i2c
Text: phyCORE-MPC555 Hardware-Manual Ausgabe August 2001 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-MPC555 Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das Fehlen der
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phyCORE-MPC555
L-523d
D-55135
mpc555 die
82C251
PCM-995
MPC555
RTC-8563
ic 67a smd
X1D53
Funkamateur
rtc ic 8563
fram i2c
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bts 425 l1
Abstract: ANPS039D PROFET TO-220SMD BTS550 BTS412A bts740 BTS432E2 BTS 740 s2 PROFET 60V 11A
Text: HL application note Dr. Alfons Graf Siemens AG, HL PS TM Hannes Estl Siemens AG, HL PS TM2 Sicherungsersatz mit PROFET Highside Leistungsschaltern Zusammenfassung: Die ursprünglich zum Selbstschutz in Smart Leistungsschalter integrierten Schutzfunktionen
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de/Semiconductor/products/36/pdf/baba96a
de/Semiconductor/products/36/pdf/hdt
de/Semiconductor/products/36/pdf/hdt972e
Anps039d
bts 425 l1
PROFET
TO-220SMD
BTS550
BTS412A
bts740
BTS432E2
BTS 740 s2
PROFET 60V 11A
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SKiip 83 EC 125 T1
Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Text: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen
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of mosfet BUZ 384
Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR
Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range
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MIL-STD-883,
MIL-STD-883;
of mosfet BUZ 384
BUZ MOSFET
thyristor capacitive discharge ignition
tig welding
transistor CF
leistungstransistoren
BUZ 338
SIEMENS MOSFET BUZ
Ignition weld tig
SIEMENS THYRISTOR
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smd-transistor DATA BOOK
Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family
Text: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.
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datenbuch
Abstract: DATA SHEET OF IGBT FREDFET leistungstransistoren datenbuch transistor
Text: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode
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marking code IC .ftz
Abstract: SMX-1 BAKOM-92 on automatic door opener system FtZ MARKING CODE 14305 voltage regulator marking agb light sensor siemens KPY 10 Automatic voltage regulator siemens
Text: SMX-1 SIEMENS Beschreibung Description Das SMX-1 Modul ist ein auf Mikrowel lentechnologie basierender Bewegungs sensor. Die wesentlichen Bestandteile sind eine mit einem dielektrischen Resonator, einem GaAs Feldeffekttransistor und SiSchottkydioden bestückte Multilayerplatine,
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1/8x27.
marking code IC .ftz
SMX-1
BAKOM-92
on automatic door opener system
FtZ MARKING CODE
14305 voltage regulator
marking agb
light sensor siemens
KPY 10
Automatic voltage regulator siemens
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MGF1502
Abstract: CFY18 CFY13 CFY19 siemens gaas fet cfy11 CFY18-23 CFY16 CFY11 CFY14 CF930
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Mikrowelienbauelemente Analoge IS und N-Kanal-Feldeffekttransistoren auf Gallium-Arsenid-Basis Konvent, rechnoiog/e STATE-OF-THE-MT-T. Leuchtanzeigen, Faseropt. Komm., Bildverstärker u.a. Mikrowellentechn. Kfz-Elektronik
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CFY19
CFY18-15
CFY18-20
CFY18-23
CFY18-25
CFY18-27
CFY19
CFY20
O-120
CFY16
MGF1502
CFY18
CFY13
siemens gaas fet cfy11
CFY11
CFY14
CF930
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HF-transistoren
Abstract: No abstract text available
Text: Transistoren Transistors HF-Transistoren und MMICs MOS Feldeffekt-Transistoren RF-Transistors and MMICs MOS Field-Effect Transistors Type Maximum Ratings Characteristics TA = 25 °C ^DS V Gps dB Fat dB Id mA Aot mW Vqs V Id mA / MHz gts mS Package Lead Code
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OT-143
23SbGS
HF-transistoren
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: aktive elektronische bauelemente ddr SMY50 smy 51 Transistoren DDR information applikation elektronik DDR SMY52 ddr veb aktive elektronische
Text: eiecrronic M O S - Feldeffekttransistoren APPLIKATIONSBEISPIELE Änderungen, die den technischen Fortschritt dokumentieren, sind Vorbehalten. Kür die aufgefiihrten Schaltungen wird keine Gewähr bezüglich Patentfreiheit übernommen. Nachdruck, auch auszugsweise, Ist
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DDR-501
Halbleiterbauelemente DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
SMY50
smy 51
Transistoren DDR
information applikation
elektronik DDR
SMY52
ddr veb
aktive elektronische
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KN303
Abstract: n306a APM 2510 2SF100 C12S Scans-048 apm 2510 n KF190 silicium power transistor broadcas amplifier
Text: nOAEBblE TPAH3HCTOPBI FIELD-EFFECT TRANSISTORS FELDEFFEKTTRANSISTOR EN TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP IST 2 riEPEHEHb TPAH3MCTOPOB LIST OF TRANSISTORS TRANSISTORENLISTE LISTE DE TRANSISTORS Grp. Page Knioir-KmoiE 11 Kni03E-Kni03M Kni03EP-KTI103MP 15 KriC104A-KnC104XI .
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KriC104A-KnC104XI
KnC202A-KnC20
-Kn202E
Kni03E-Kni03M
Kni03EP-KTI103MP
Kn201E-Kn201/l
Kn301B
Kn302A-Kn302r.
Kn303A-Kn303H
Kn304A.
KN303
n306a
APM 2510
2SF100
C12S
Scans-048
apm 2510 n
KF190
silicium power transistor
broadcas amplifier
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MH1SS1
Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik
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siemens dioden
Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .
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SIL00001
MILSTD-883,
siemens dioden
leistungstransistoren
thyristor capacitive discharge ignition
Leistungsdiode
car ignition circuit diagram
of mosfet BUZ 384
car ignition
chip die npn transistor
Siemens Halbleiter
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diode SY 192
Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«
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