SMR 4000
Abstract: 495p topled SFH 4501
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS TYPENÜBERSICHT IR-L SUMMARY OF TYPES (I UMINESZENZDIODEN 1. Emitter in SMT NFRARED EMITTERS) 1. Emitters in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH 421 / SFH 4200 SMARTLED SFH 4000 / SFH 4010 / SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4209 / SFH 4219
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Q62703Q1820
Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487
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Original
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Q68000-A8000
Q62703-Q1092
Q62703-Q1756
Q62703-Q1094
Q62703-Q1547
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-P5526
Q62703Q1820
Q62703Q5195
20MS
Q62702-Q1745
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 marking code diode 04 to-18
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
marking code diode 04 to-18
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
sfh4641
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E7800
Abstract: GET06625 Q62703-Q1090
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 483 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR00881
OHR00948
OHR01457
E7800
GET06625
Q62703-Q1090
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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din 40 040 gqg
Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01937
OHR01877
din 40 040 gqg
E7800
GET06625
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
MSE16
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BPX63
Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01937
OHR01877
BPX63
E7800
GET06625
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
GETY6625
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SFH483ME7800
Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
SFH483ME7800
SFH483-M
sfh483m
LME7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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E7800
Anwendungen2006-12-07
E7800
Q62703Q4755
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A52 opto sensor
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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E7800
E7800
Q62703Q4755
A52 opto sensor
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SFH 483401 SFH 483406 GaAlAs-LASER DIODE 1000 mW WITH FC-CONNECTOR 750 m W 2 Package Dimensions in mm SFH 483401 1 2 3 4 SFH 483406 11.7 ±0 3 NC NTC NTC laserdiode Cathode 5 6 7 8 Laserdiode Anode Monitor Diode Anode Monitor Diode Cathode NC ' 59
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A53b3Eb
aE3b32b
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: bDE D • ß235tiOS G04bS7L> TMb « S I E û SIEMENS SFH 483401 SFH 483406 GaAIAs-LASER DIODE 1000 mW WITH FC-CONNECTOR 750 mW 2> P a cka g e D im e n sio n s in m m SFH 483401 4 0 °.*1 1. 2. 3. 4. SFH 483406 N.C. NTC NTC Laserdiode Cathode 5. 6. 7.
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235tiOS
G04bS7L>
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ntc 10 sp
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SFH 483401 SFH 483406 GaAlAs-LASER DIODE 1000 mW WITH FC-CONNECTOR 750 mW<2 Package Dimensions in mm 11 7 ±0 5 ' SFH 483401 59 - 0.1 40*' L aser M irror 05 -1 0 1 9 45 ±0 2 î 01 ±0 1 2 ±0 3 ±0.3 I NC 2 3 4 SFH 483406 NTC NTC Laserdiode C athode
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em 483
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter 00.45 SFH 483 Chip position I Anode LD 242, BPX63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale
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BPX63,
IQ100
450k/W
em 483
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Nd-yag
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SFH 483401 SPH 483406 GaAlAs-LASER DIODE 1000 mW WITH FC-CONNECTOR 750 wWM Package Dimensions in mm SFH 483401 40" 1 2 3 4. SFH 483406 . 11 7 NC NTC NTC Laserdiode Cathode 5 6 7 8 "I Laserdiode Anode Monitor Diode Anode Monitor Diode Cathode N.C J
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SFH 462
Abstract: Q62702-P2258 Q62703-Q2185 462-L
Text: IR-Lumineszenzdioden Gehäuse/Package 3.2 Infrared Emitters Type ? deg. im Metall-Gehäuse Xp„ak = 880 nm Vf = 1 ,5 V (/f = 100 mA) 4^ ±6 SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 SFH 481-3 ± 15 at I f = 100 mA >40 tp = 20 ms 4 0 . 80 1 0 . 50 10 . .20 Q62703-Q1088
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Q62703-Q1087
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
483-L
483-M
482-L
482-M
Q62703-Q1088
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
SFH 462
Q62702-P2258
Q62703-Q2185
462-L
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter 2.7 00.45 SFH 483 Chip position A CO 1 -; o o 3.6 ‘i 1.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g IO C\J CO CO o M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.
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OHR01457
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em 483
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SFH 483 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter 0 0 .4 5 2.7 r * - C h ip position 3.6 Anode LD 242, BPX 63, SFH 4 6 4 Cathode (SFH 4 8 3 ) A p p ro x. weight 0 .5 g Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified.
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4004type
OHSDI45?
em 483
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tg 7f
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 2.7 00.45 Chip position co •>-; S i n 8_ Gl q -g ; O cvj « 14.5 12.5 3.6 ^3.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g 8 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.7 00.45 LD 242 Chip position CO i - ; Q O 3.6 " 3.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g IO C\J (O (O o 0) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.
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