Please enter a valid full or partial manufacturer part number with a minimum of 3 letters or numbers

    SFH483M Search Results

    SFH483M Datasheets (1)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    SFH483-M Infineon Technologies GaAIAs IRED, High reliability, Matches all Si-Photodetectors, Anode is connected to the case Original PDF

    SFH483M Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF E7800 Anwendungen2007-12-07

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF E7800 Anwendungen2007-04-02

    SFH483ME7800

    Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF E7800 E7800 Q62703Q4755 SFH483ME7800 SFH483-M sfh483m LME7800

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF E7800 Anwendungen2006-12-07 E7800 Q62703Q4755

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS SFH483 GaAIAs INFRARED EMITTER FEATURES Maxim um Ratings • Highly Efficient GaAIAs LED O perating and Storage Tem perature Range T0P, Ts tg - 4 0 to + 80°C Jun ction Tem perature (T j). 100°C


    OCR Scan
    PDF SFH483 E7800" 160K/W S53b3ab

    SFH 462

    Abstract: SFH483-L BPX63 SFH463 tc25c25 SFH483-LE7800 SFH483-M din 40040 humidity
    Text: SFH483 SIEMENS GaAIAs INFRARED EMITTER FEATURES Maximum Ratings • Highly Efficient GaAIAs LED Operating and Storage Temperature Range Top, Tstg . -4 0 to + 80°C Junction Temperature (Tj). 100°C


    OCR Scan
    PDF SFH483 BPX63, BP103, E7800" 50KAN 160KyW SFH 462 SFH483-L BPX63 SFH463 tc25c25 SFH483-LE7800 SFH483-M din 40040 humidity

    BP103 F

    Abstract: No abstract text available
    Text: SFH483 SIEMENS GaAIAs INFRARED EMITTER FEATURES Maxim um Ratings • Highly Efficient GaAIAs LED O p e ra tin g a n d S to ra g e T e m p e ra tu re R a n g e To p , Ts t q - 4 0 to + 80°C * Radiation in Near Infrared Range Ju n c tio n T e m p e ra tu re ( T j ) .100°C


    OCR Scan
    PDF SFH483 BPX63, BP103, E70OO" BP103 F