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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Q62703-Q4752
Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
Q62703-Q4752
diode 482
diode SR 315
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1665
Q62703-Q1668
SFH480
Q62703Q1087
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Q62703Q1820
Abstract: Q62703Q5195 20MS Q62702-Q1745
Text: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS 3. Emitter im Plastikgehäuse Package T 1¾ λpeak 3. Emitters in Plastic Package ϕ deg. Ie VF nm mW/sr V IRL 81 A 880 ± 25 ≥ 1.0 1.5 SFH 484 SFH 484-2 880 ±8 ≥ 50 ≥ 80 SFH 486 880 ± 11 SFH 485-2 880 SFH 487
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Original
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Q68000-A8000
Q62703-Q1092
Q62703-Q1756
Q62703-Q1094
Q62703-Q1547
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62702-P5524
Q62702-P5525
Q62702-P5526
Q62703Q1820
Q62703Q5195
20MS
Q62702-Q1745
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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all220)
GETY6091
GETY6013
GEOY6314
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opto 7800
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
opto 7800
E7800
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