Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2
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Original
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fex06250
GEX06250
OHR00865
OHR01887
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Q62702-P1001
Abstract: GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode SFH 409 Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g
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Original
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GEX06250
fex06250
OHR00865
OHR01887
Q62702-P1001
GEX06250
Q62702-P1002
Q62702-P860
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TYP 513 309
Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 SFH409 IR 409 K
Text: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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fex06250
TYP 513 309
Q62702-P1001
Q62702-P1002
Q62702-P860
SFH409
IR 409 K
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IR 409 K
Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 DIODE 409
Text: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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fex06250
IR 409 K
SFH 409 SFH 487
Q62702-P1001
Q62702-P1002
Q62702-P860
DIODE 409
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GEXY6250
Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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SFH 409 SFH 487
Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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OHR01887
GEX06250
SFH 409 SFH 487
OPTOKOPPLER
p1002 sensor
Q62702-P1002
Q62702-P860
GEX06250
SFH409
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GEX06250
Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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OHR01887
GEX06250
GEX06250
Q62702-P1001
Q62702-P1002
Q62702-P860
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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GEXY6250
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409 marking
Abstract: osram sfh 309
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
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Original
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D-93055
409 marking
osram sfh 309
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SFH 200 optokoppler
Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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Q62703-Q1095
Abstract: Q62703-Q2174 GEX06250
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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OHR01895
GEX06250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
GEX06250
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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GEXY6250
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OPTOKOPPLER
Abstract: SFH 200 optokoppler GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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GEXY6250
OPTOKOPPLER
SFH 200 optokoppler
GEXY6250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
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optokoppler
Abstract: GEXY6250 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174 Q62703Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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GEXY6250
optokoppler
GEXY6250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Q62703Q2174
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GEX06250
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 409 marking
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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osram sfh 309
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat Chip position -Cathode SFH 409 Anode (SFH 487, SFH 4391) O in C\J (O o X 0) G EX06250 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale
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EX06250
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ls 487
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 4.0 3.6 0iffei 5 2 9 - ^ 6.3 27 5.9 ^ C a th o d e S F H 409 Anode (SFH 487) — (3.5) Chip position . _0.6 ,.v^ V 0.4 GEX06250 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06250
ls 487
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sfh 309 fr
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM EN S GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat* M f 0 .4 oo^ öö V 4.1 I—-3 .9 § .? !_ 4.0 3.6 -ífeÆ sa o -r Mw , 3.5 I Chip positio n X m 0 .4 — 29— 27 C athode=SFH 409 Anode =SFH487 A p p ro x. w e ig h t 0 .3 g
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SFH487
950nmK
023Sb05
sfh 309 fr
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sfh 309 fr
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 A rea not tla t\ 0.6 0 .4 o :ö 1.8 3 .5 Chip position T i -29— 27 -C a th o d e (S FN Anode (S FH - I 6 .3 5 .9 409) 487) A p p ro x. weight 0 .3 g M a ß e in m m , w e n n n ic h t a n d e rs a n g e g e b e n /D im e n s io n s in m m , u n le s s o th e rw is e s p e c ifie d .
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sfh 487-2
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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880nm)
OHR01895
sfh 487-2
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Hohe Zuverlässigkeit
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880nm)
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