GEX06250
Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) 0.6 0.4 (3.5) Chip position GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing
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Original
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880nm)
GEX06250
fex06250
OHR00881
OHR00880
OHR00886
OHR00949
GEX06250
SFH 409 SFH 487
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
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Q62702-P1001
Abstract: GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode SFH 409 Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g
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Original
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GEX06250
fex06250
OHR00865
OHR01887
Q62702-P1001
GEX06250
Q62702-P1002
Q62702-P860
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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Original
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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Original
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4301
Abstract: GEX06250 Q62702-P5166
Text: Schnelle IR-Lumineszenzdiode 950 nm im 3 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package SFH 4301 Wesentliche Merkmale Features • Hohe Pulsleistung und hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe • Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) • Sehr hohe Langzeitstabilität
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Original
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OHF01016
GEX06250
4301
GEX06250
Q62702-P5166
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2
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Original
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fex06250
GEX06250
OHR00865
OHR01887
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GEX06250
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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409 marking
Abstract: osram sfh 309
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
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Original
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D-93055
409 marking
osram sfh 309
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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Original
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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Q62703-Q1095
Abstract: Q62703-Q2174 GEX06250
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
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Original
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OHR01895
GEX06250
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
GEX06250
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SFH 409 SFH 487
Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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OHR01887
GEX06250
SFH 409 SFH 487
OPTOKOPPLER
p1002 sensor
Q62702-P1002
Q62702-P860
GEX06250
SFH409
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 SFH 409 SFH 487
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEX06250
Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
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Original
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OHR01887
GEX06250
GEX06250
Q62702-P1001
Q62702-P1002
Q62702-P860
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GEX06250
Abstract: OHLY0598 409 marking
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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SFH 910
Abstract: SFH 4332
Text: High Power VCSEL-Laserdiode 920 nm im 3 mm Radial-Gehäuse High-Power VCSEL Laser Diode (920 nm) in 3 mm Radial Package SFH 4332 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarotsendediode in VCSEL-(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) Technologie
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OHF00889
OHF00896
GEX06250
GPL06930
SFH 910
SFH 4332
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ls 487
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 4.0 3.6 0iffei 5 2 9 - ^ 6.3 27 5.9 ^ C a th o d e S F H 409 Anode (SFH 487) — (3.5) Chip position . _0.6 ,.v^ V 0.4 GEX06250 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06250
ls 487
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