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    TYP 513 309

    Abstract: Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 SFH409 IR 409 K
    Text: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF fex06250 TYP 513 309 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 SFH409 IR 409 K

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2


    Original
    PDF fex06250 GEX06250 OHR00865 OHR01887

    GEX06250

    Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) 0.6 0.4 (3.5) Chip position GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing


    Original
    PDF 880nm) GEX06250 fex06250 OHR00881 OHR00880 OHR00886 OHR00949 GEX06250 SFH 409 SFH 487 Q62703-Q1095 Q62703-Q2174

    IR 409 K

    Abstract: SFH 409 SFH 487 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 DIODE 409
    Text: SFH 409 SFH 409 fex06250 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF fex06250 IR 409 K SFH 409 SFH 487 Q62702-P1001 Q62702-P1002 Q62702-P860 DIODE 409

    Q62702-P1001

    Abstract: GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode SFH 409 Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g


    Original
    PDF GEX06250 fex06250 OHR00865 OHR01887 Q62702-P1001 GEX06250 Q62702-P1002 Q62702-P860

    isl 6251 schematic

    Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
    Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.


    Original
    PDF Q62702-A772 Q62702-A731 Q62702-A773 OT-23 isl 6251 schematic smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs