F1048A
Abstract: F1048B
Text: GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1048A F 1048B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 25 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 400 x 400 µm2
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Original
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1048B
F1048A
F1048B
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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GETY6625
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2007-12-07
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2007-04-02
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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Original
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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Original
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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Original
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880nm
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SFH483ME7800
Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
SFH483ME7800
SFH483-M
sfh483m
LME7800
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2006-12-07
E7800
Q62703Q4755
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GEO06314
Abstract: GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1
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Original
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00881
OHR00948
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
Q62703-Q1667
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emit 480
Abstract: SFH482
Text: 2012-01-19 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 480, SFH 482 SFH 480 SFH 482 Features: Besondere Merkmale: • Typical peak wavelength 880nm • Hermetically sealed package • Same package as SFH 216 • Typische Peakwellenlänge 880nm
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Original
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880nm
D-93055
emit 480
SFH482
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opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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SFH4881b
OHR00948
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
7800 opto
opto 7800 a
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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Original
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880nm
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A52 opto sensor
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
A52 opto sensor
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LME7800
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
LME7800
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Q62703-Q4752
Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
Q62703-Q4752
diode 482
diode SR 315
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1665
Q62703-Q1668
SFH480
Q62703Q1087
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BPX osram
Abstract: SFH 291 E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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Original
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880nm
BPX osram
SFH 291
E7800
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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E7800
Abstract: GET06625 Q62703-Q1090
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 483 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR00881
OHR00948
OHR01457
E7800
GET06625
Q62703-Q1090
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-12-07 GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 483 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Anode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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Original
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E7800
D-93055
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diode SR 315
Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) welded 14.5 12.5 Chip position (2.7) 5.3 5.0 6.4 5.6 5.5 5.0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 Radiant sensitive area 1.1 .9 1.1 0.9 ø4.8 ø4.6 ø0.45 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401
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Original
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GET06091
fet06091
fet06090
GEO06314
OHR00396
diode SR 315
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
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