SFH485P
Abstract: OHLPY985
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
720-SFH485P
SFH485P
OHLPY985
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4580
Abstract: opto 2505 SFH4585 fotodiod
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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Original
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720-SFH4580
720-SFH4585-Z
4585-Z
4580
opto 2505
SFH4585
fotodiod
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
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GPL06899
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4281 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ιe = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich
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Original
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GEXY6308
Abstract: Q62703-Q517
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 P Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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GEOY6956
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
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GEX06626
Abstract: Q62703-Q1094
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar
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OHR01733
GEX06626
GEX06626
Q62703-Q1094
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Q62702-P1819
Abstract: 0083CA
Text: GaAlAs-IR-Lumineszensdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung
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GPLY6965
Q62702-P1819
0083CA
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GEXY6306
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4289 This data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-2010-033-A). Not to be used for design-in. Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • •
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OS-PCN-2010-033-A)
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 880 nm
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Q62702-P0331
Abstract: opto 421 Q62702-P1055 GPL06724 GPL06880
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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F1048A
Abstract: F1048B
Text: GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1048A F 1048B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 25 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 400 x 400 µm2
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1048B
F1048A
F1048B
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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GETY6625
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Q62702-P1055
Abstract: GPL06880 GPL06724 Q62703-P0331
Text: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ SFH 421 SFH 426 fpl06724 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g
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fpl06724
GPL06724
GPL06880
fpl06867
103ff.
169ff.
OHR00886
Q62702-P1055
GPL06880
GPL06724
Q62703-P0331
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fototransistor led
Abstract: GPL06965
Text: SMT Multi TOPLED SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 0.9 0.7 3 C A E 0.1 typ 1.1 0.5 3.4 3.0 C 3.7 3.3 2 2.4 0.8 0.6 2.1 1.7 1 4 0.18 0.12 Package marking 0.6 0.4 GPL06965 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GPL06965
IPCE/IPCE25o
OHF00871
OHF01530
OHF00312
fototransistor led
GPL06965
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OS-PCN-2010-033-A
Abstract: marking "SR"
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4289 This data sheet is under PCN-revision (see separate data sheet with respect to "OS-PCN-2010-033-A"). Do not use this version for design-in. Wesentliche Merkmale
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OS-PCN-2010-033-A"
OS-PCN-2010-033-A
marking "SR"
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JEDEC J-STD-020B
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm und grüne GaP-LED (565 nm) GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and green GaP-LED (565 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7222 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und grünem Sender (565 nm)
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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E7800
Anwendungen2007-12-07
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4680 SFH 4685 SFH 4680 SFH 4685 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • AlGaAs-LED mit typischer Emissionswellenlänge 880 nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen im Automobilbereich / not for new designs in automotive applications Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm
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osram ir ld 274
Abstract: E9548 Q65110A1434
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Q62703Q0516
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