BPX osram
Abstract: GMOY6011 BPX61
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm
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Original
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Q62705-P25
BPX osram
GMOY6011
BPX61
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Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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850 nm LED
Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar
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Original
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Q62702-P129
850 nm LED
GEOY6647
Q62702-P129
S8050
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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GEOY6422
Abstract: Q62702-P273
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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GEOY6651
Abstract: Q62702-P102
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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p945
Abstract: p945 transistor transistor P945 GEOY6643 Q62702-P945
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns
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Original
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BPW34S
Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
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Original
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feo06643
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
BPW34S
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1602
Q62702-P1790
Q62702-P73
S8050
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GEO06861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
Q62702-P1605
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bpw 104
Abstract: C 34 f
Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS (R18R) BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (R18R)
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Original
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Q65110A2626
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q65110A2626
Q65110A2626
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEOY6075
GEOY6861
GEOY6075
GEOY6861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
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Q62702-P129
Abstract: GEOY6647 S8050
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features
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Original
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OHF01402
GEOY6647
Q62702-P129
GEOY6647
S8050
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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E9087
Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929
Text: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
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Original
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feo06075
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1604
Q62702-P1826
Q62702-P929
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Q62702-P1602
Abstract: Q62702-P1790 Q62702-P73
Text: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S R18R BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 OHFD1781 BP 104 FAS BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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1100nm
GEOY6861
GPLY7049
OHFD1781
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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BPW 34 FAS
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.1 BPW 34 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 730 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
BPW 34 FAS
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OSRAM - Q62702-P2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P0084
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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SFH 225 FA
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
SFH 225 FA
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BPX61
Abstract: GMOY6011 OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
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Original
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Q62702P0025
BPX61
GMOY6011
OHLY0598
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