SBS804
Abstract: ENN6595 SBS004
Text: Ordering number : ENN6595 SBS804 Schottky Barrier Diode SBS804 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 [SBS804] • 0.6 2.8 0.05 2 0.95 0.4 0.7 4 0.15 3
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Original
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ENN6595
SBS804
SBS804]
SBS804
SBS004.
ENN6595
SBS004
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2SJ560
Abstract: CPH6801 SBS004 TA2492
Text: Ordering number:EN6419 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH6801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2172 [CPH6801] 5 4 0.6 6 0.2 0.15 2.9 2.8 0.05 0.6 • The CPH6801 consists of a P-channel MOSFET that features low ON resistance, ultrahigh-speed switching, and low-voltage drive, and a shottky barrier
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Original
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EN6419
CPH6801
CPH6801]
CPH6801
2SJ560
SBS004,
SBS004
TA2492
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SBS004
Abstract: 62722
Text: Ordering number:ENN6272 Schottky Barrier Diode SBS004 15V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS004] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V) (IF=1.0A, VF max=0.4V).
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Original
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ENN6272
SBS004
SBS004]
SBS004applied
SBS004
62722
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MCH3307
Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
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Original
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CPH5838
ENN8235
MCH3307)
SBS004)
MCH3307
SBS004
ENN8235
2171A
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SBS008M
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 6 8 2 SBS008M 三洋半導体データシート N SBS008M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SBS008M
32VIF
100mA,
600mm2
100mA
Duty10%
IT06648
IT06646
IT06649
SBS008M
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diode N1004
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Text: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5812
ENN7467A
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
CPH5812
MCH3317
N1004
SBS010M
TA-3787
74674
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74682
Abstract: 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M
Text: 注文コード No. N 7 4 6 8 CPH5813 No. N 7 4 6 8 32803 新 CPH5813 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M）を
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Original
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CPH5813
MCH3318
SBS010M
600mm2
IT05881
IT05883
IT00625
IT00626
74682
74684
74685
CPH5813
MCH3318
SBS010M
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74674
Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
Text: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7467
CPH5812
CPH5812]
MCH3317)
SBS010M)
74674
CPH5812
MCH3317
SBS010M
TA-3787
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MCH3307
Abstract: MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5836
ENA0780
MCH3307)
SS10015M)
A0780-6/6
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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SS1001
Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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MCH5837
ENA0781
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
MCH5837
mosfet yb
SS10015M
TA72
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7472 SBS010M Schottky Barrier Diode SBS010M 15V, 2A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305A [SBS010M] 0.15 2 1 0.65 0.07 1.6 3 0.25 • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V)
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Original
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ENN7472
SBS010M
SBS010M]
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5822 Ordering number : ENN7702 CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General Purpose Switching Device Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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ENN7702
CPH5822
MCH3312)
SBS010M)
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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EN8690
CPH5848
MCH3306)
SS10015M)
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77704
Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 77705 77701
Text: CPH5808 注文コード No. N 7 7 7 0 三洋半導体データシート N CPH5808 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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CPH5808
MCH3409)
SBS004
600mm2
TA-100106
IT00624
IT00623
IT00622
77704
CPH5808
MCH3409
77705
77701
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N7472
Abstract: SBS010M
Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SBS010M
N7472
100mA,
600mm2
TB-00001016
TA-100516
IT05881
IT05882
IT08545
N7472
SBS010M
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CPH5821
Abstract: MCH3312 SBS004
Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5821
MCH3312)
SBS004
600mm2
TA-100874
IT00622
IT00623
CPH5821
MCH3312
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CPH5831
Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Text: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用
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Original
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CPH5831
MCH3406)
SBS010M
600mm2
12805PE
TA-100797
IT08545
IT00625
CPH5831
MCH3406
cph58
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SBE808 Ordering number : ENA0451A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBE808 Schottky Barrier Diode 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • • Small switching noise Low leakage current and high reliability due to planar structure
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Original
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SBE808
ENA0451A
A0451-6/6
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SS10015M Ordering number : ENN7979 Schottky Barrier Diode SS10015M 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.32V) (IF=0.5A, VF max=0.35V).
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Original
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SS10015M
ENN7979
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CPH5811
Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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CPH5811
ENN8234
MCH3406)
SBS004)
CPH5811
MCH3406
SBS004
2171A
marking QM
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SS10015M
Abstract: 138SF 15VIO sanyo SS10015M
Text: SS10015M 注文コード No. N 7 9 7 9 三洋半導体データシート N ショットキバリアダイオード SS10015M 15V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SS10015M
15V1A
100mA,
600mm2
53104SB
TA-101012
IT07150
IT07152
IT07153
SS10015M
138SF
15VIO
sanyo SS10015M
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SBS004
Abstract: SBS804
Text: 注文コード No. N 6 5 9 5 SBS804 No. N 6 5 9 5 63000 新 SBS804 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.5A, VF max=0.35V (IF=1.0A, VF max=0.4V)。
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Original
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SBS804
SBS004
IT00623
IT00622
IT00624
IT00625
IT00626
SBS004
SBS804
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SBE808
Abstract: a0451
Text: SBE808 Ordering number : ENA0451 SANYO Semiconductors DATA SHEET SBE808 Schottky Barrier Diode 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Small switching noise. Low leakage current and high reliability due to planar structure.
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Original
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PDF
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SBE808
ENA0451
A0451-3/3
SBE808
a0451
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diode N1004
Abstract: N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603
Text: CPH5812 Ordering number : EN7467B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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PDF
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CPH5812
EN7467B
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
N1004 diode
CPH5812
n1004
TA-3787
MCH3317
SBS010M
N2603
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