MCH6635
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6635 注文コード No. N 8 2 1 7 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8217 をさしかえてください。 MCH6635 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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PDF
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MCH6635
N8217
900mm2
400mA
400mA,
200mA,
900mm2
IT09190
IT09191
MCH6635
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CPH5810
Abstract: MCH3312
Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）
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Original
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PDF
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CPH5810
MCH3312
SBS001
600mm2
12805PE
TA-100105
IT09167
IT09166
CPH5810
MCH3312
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CPH5831
Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Text: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用
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Original
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PDF
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CPH5831
MCH3406)
SBS010M
600mm2
12805PE
TA-100797
IT08545
IT00625
CPH5831
MCH3406
cph58
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MCH6635
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6635 Ordering number : EN8217A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6635
EN8217A
900mm20
MCH6635
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CPH5835
Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
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82074
Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
82074
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
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ENN8206
Abstract: CPH5810 MCH3312
Text: CPH5810 Ordering number : ENN8206 CPH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS001)
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Original
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PDF
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CPH5810
ENN8206
MCH3312)
SBS001)
ENN8206
CPH5810
MCH3312
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CPH5810
Abstract: MCH3312
Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 三洋半導体データシート N CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）
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Original
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PDF
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CPH5810
MCH3312
SBS001
600mm2
12805PE
TA-100105
IT09167
IT09166
CPH5810
MCH3312
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MCH6635
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6635 Ordering number : ENN8217 P-Channel Silicon MOSFET MCH6635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6635
ENN8217
900mm2
MCH6635
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CPH6320
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6320 Ordering number : ENN8208 P-Channel Silicon MOSFET CPH6320 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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CPH6320
ENN8208
1200mm2
25Ltd.
CPH6320
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MCH3406
Abstract: SBS010M CPH5831
Text: CPH5831 Ordering number : ENN8220 CPH5831 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converters. Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained
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Original
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CPH5831
ENN8220
MCH3406)
SBS010M)
MCH3406
SBS010M
CPH5831
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CPH3309
Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained
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Original
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PDF
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CPH5835
ENN8207
CPH3309)
SBS010M)
CPH3309
CPH5835
MCH5835
SBS010M
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SCH2807
Abstract: MARKING QG
Text: SCH2807 Ordering number : ENN8215 SCH2807 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET SCH1407 and a schottky barrier diode (SS05015)
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Original
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SCH2807
ENN8215
SCH1407)
SS05015)
SCH2807
MARKING QG
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