A1006
Abstract: d1207
Text: SCH2825 注文コード No. N A 1 0 0 6 三洋半導体データシート N SCH2825 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオ−ドを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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PDF
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SCH2825
900mm2
D1207PE
TC-00001031
A1006-1/6
IT08187
IT07891
ID00338
A1006
d1207
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A0780
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Text: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5836
NA0780
MCH3307)
SS10015M)
900mm2
41807PE
TC-00000614
A0780-1/6
A0780
MCH3307
MCH5836
SS10015M
a07801
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SCH1417
Abstract: SCH2817 SS05015SH Vgs mosfet TB-00001069
Text: SCH2817 注文コード No. N 8 1 5 5 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード SCH2817 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1417）
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Original
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PDF
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SCH2817
SCH1417
SS05015SH
900mm2
TB-00001069
IT06804
IT06805
IT06806
SCH1417
SCH2817
Vgs mosfet
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2825 Ordering number : ENA1006A SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode SCH2825 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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SCH2825
ENA1006A
A1006-7/7
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ic 74243
Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Text: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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PDF
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ENN7424
MCH5815
MCH5815]
MCH3317)
SBS007M)
ic 74243
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH5835 Ordering number : ENA0655 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)
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Original
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PDF
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ENA0655
MCH5835
MCH3443)
SS0503SH)
A0655-6/6
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74243
Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Text: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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PDF
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MCH5815
MCH3317
SBS007M
900mm2
IT02912
IT02914
IT02915
ID00338
74243
74241
MCH3317
MCH5815
SBS007M
TA-3841
74242
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SCH1406
Abstract: SCH2806
Text: SCH2806 注文コード No. N 7 7 4 4 三洋半導体データシート N SCH2806 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1406）
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Original
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PDF
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SCH2806
SCH1406
SBS018
900mm2
TA-101080
IT06804
IT06805
IT06806
SCH1406
SCH2806
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SCH2821
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2821 注文コード No. N 8 3 6 8 三洋半導体データシート N SCH2821 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した
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Original
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PDF
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SCH2821
900mm2
63005PE
TB-00001455
IT06804
IT06805
IT06806
IT06807
SCH2821
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH5839 Ordering number : ENA2165 SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5839 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode
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Original
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MCH5839
ENA2165
A2165-7/7
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SCH2821
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2821 Ordering number : ENN8368 SCH2821 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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SCH2821
ENN8368
SCH2821
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SB05-03Q Ordering number : EN3867B SANYO Semiconductors DATA SHEET SB05-03Q Schottky Barrier Diode 30V, 500mA Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • • • • Fast reverse recovery time (trr max=10ns)
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Original
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EN3867B
SB05-03Q
500mA
SB05-03Q-applied
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a0670-1
Abstract: CPH5855
Text: CPH5855 Ordering number : ENA0670 CPH5855 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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CPH5855
ENA0670
A0670-6/6
a0670-1
CPH5855
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CPH5856
Abstract: TC-00000403 marking YJ AM
Text: CPH5856 Ordering number : ENA0687 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5856 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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CPH5856
ENA0687
A0687-6/6
CPH5856
TC-00000403
marking YJ AM
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2819 SCH2819 Ordering number : ENN8291 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)
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Original
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PDF
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SCH2819
ENN8291
SCH1419)
SS0503)
SCH2819/D
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SCH2819
Abstract: SCH1419 8-2914
Text: SCH2819 注文コード No. N 8 2 9 1 三洋半導体データシート N SCH2819 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1419）
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Original
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PDF
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SCH2819
SCH1419
SS0503
900mm2
62005PE
TB-00001351
IT07928
IT08187
SCH2819
SCH1419
8-2914
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D1004
Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M 40V 60A MOSFET SS1001
Text: MCH5811 注文コード No. N 8 0 5 9 三洋半導体データシート N MCH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405 とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5811
MCH3405)
SS10015M
900mm2
D1004
TB-00000604
IT07150
IT07152
MCH3405
MCH5811
40V 60A MOSFET
SS1001
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SCH2810
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2810 注文コード No. N 8 2 4 6 三洋半導体データシート N SCH2810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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SCH2810
900mm2
22805PE
TB-00001168
IT06804
IT06805
IT06806
IT06807
SCH2810
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENA2165 MCH5839 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com –20V, –1.5A, 266mΩ, Single MCPH5 with Schottky Diode Features • • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting
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Original
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PDF
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ENA2165
MCH5839
PW10s,
A2165-7/7
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SCH1417
Abstract: SCH2817 SS05015SH TB-00001069
Text: SCH2817 Ordering number : ENN8155 SCH2817 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1417 and a Schottky Barrier Diode (SS05015SH)
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Original
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PDF
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SCH2817
ENN8155
SCH1417)
SS05015SH)
SCH1417
SCH2817
SS05015SH
TB-00001069
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a04466
Abstract: 82306 marking QJ SCH1305 SCH2809
Text: SCH2809 Ordering number : ENA0446 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2809 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET SCH1305 and a Schottky barrier diode (SBS018) contained
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Original
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PDF
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SCH2809
ENA0446
SCH1305)
SBS018)
A0446-6/6
a04466
82306
marking QJ
SCH1305
SCH2809
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82306
Abstract: SCH2811
Text: SCH2811 Ordering number : ENA0440 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2811 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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SCH2811
ENA0440
A0440-6/6
82306
SCH2811
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MCH3447
Abstract: MCH5824 marking xa
Text: MCH5824 Ordering number : ENN8201 MCH5824 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3447 and a schottky barrier diode (SS05015)
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Original
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PDF
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MCH5824
ENN8201
MCH3447)
SS05015)
MCH3447
MCH5824
marking xa
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A0670
Abstract: a0670-1 CPH5855
Text: CPH5855 注文コード No. N A 0 6 7 0 三洋半導体データシート N CPH5855 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5855
600mm2
13107PE
TC-00000401
A0670-1/6
IT07152
IT07153
ID00338
A0670
a0670-1
CPH5855
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