ECH8301
Abstract: MPF330
Text: ECH8301 注文コード No. N 8 3 6 7 三洋半導体データシート N ECH8301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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ECH8301
900mm2
--40A
IT05145
900mm2
IT05147
IT05148
ECH8301
MPF330
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SCH2602
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2602 Ordering number : ENN8323 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs SCH2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The SCH2602 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON- resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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SCH2602
ENN8323
SCH2602
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VEC2607
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2607 Ordering number : ENN8359 VEC2607 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2607 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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VEC2607
ENN8359
VEC2607
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SCH2819
Abstract: SCH1419 8-2914
Text: SCH2819 注文コード No. N 8 2 9 1 三洋半導体データシート N SCH2819 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1419）
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Original
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SCH2819
SCH1419
SS0503
900mm2
62005PE
TB-00001351
IT07928
IT08187
SCH2819
SCH1419
8-2914
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CPH5803
Abstract: TA-3101 6935-2 MCH3405 SBS004M
Text: CPH5803 注文コード No. N 6 9 3 5 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N6935A をさしかえてください。 CPH5803 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5803
N6935A
MCH3405)
SBS004M)
900mm2
TC-00001887
62005PE
TA-3101
CPH5803
6935-2
MCH3405
SBS004M
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SCH2819
Abstract: SCH1419
Text: SCH2819 Ordering number : ENN8291 SCH2819 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)
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Original
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SCH2819
ENN8291
SCH1419)
SS0503)
SCH2819
SCH1419
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PDF
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SCH1412
Abstract: SCH2808
Text: SCH2808 Ordering number : ENN8360 SCH2808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET SCH1412 and a schottky barrier diode (SS0503)
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Original
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SCH2808
ENN8360
SCH1412)
SS0503)
SCH1412
SCH2808
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PDF
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SCH2602
Abstract: TA-100972
Text: SCH2602 注文コード No. N 8 3 2 3 三洋半導体データシート N SCH2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
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Original
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SCH2602
900mm2
IT04361
900mm2
IT04362
IT03293
SCH2602
TA-100972
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CPH5803
Abstract: MCH3405 SBS004M EN693
Text: CPH5803 Ordering number : EN6935B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5803 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS004M)
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Original
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CPH5803
EN6935B
MCH3405)
SBS004M)
CPH5803
MCH3405
SBS004M
EN693
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SCH1412
Abstract: SCH2808 IT03302
Text: SCH2808 注文コード No. N 8 3 6 0 三洋半導体データシート N SCH2808 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1412）
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Original
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SCH2808
SCH1412
SS0503
900mm2
62005PE
TB-00001448
DS927
IT07928
SCH1412
SCH2808
IT03302
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VEC2607
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2607 注文コード No. N 8 3 5 9 三洋半導体データシート N VEC2607 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
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Original
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VEC2607
900mm2
IT09285
IT09311
IT08607
900mm2
IT09286
VEC2607
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TA-3101
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5803 Ordering number : ENN6935A CPH5803 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS004M)
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Original
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ENN6935A
CPH5803
MCH3405)
SBS004M)
TA-3101
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PDF
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