Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
Text: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches
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sf 818 d
Abstract: NPN 337 SU 179 sf 819 d SF 127 Funkamateur SMD NF sf 118 d sd 339 NF 847 G
Text: IC, ICsat [mA, A ] 600 -100 -100 -100 -100 100 100 100 100 100 100 -100 -100 -100 100 100 100 -100 -100 -100 (1) (-1) (1) (-1) (1) (-1) (3) (1,5) (-1,5) (1,5) (-1,5) (1,5) (-1,5) * [MHz] ≥ 250 90 90 90 90 ≥ 300 ≥ 300 145 145 161 175 350 350 350 185
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max2630
Abstract: oscillator 45mhz 4pin 30mA-Ladungspumpe max2323 ts MAX2620 Maxim MAX2294 MAX2606 MAX2291 BBA SOT23-6 ON ja 1620
Text: WIRELESS Datenblätter • ANALOG DESIGN SOLUTIONS Anwendungsbeispiele Kostenlose Muster • e sgab u 12. A NEU Drastische Kostensenkung und Reduktion der Bauteile für Dual-Band-Mobiltelefone SiGe-IC vereinfacht diskrete Schaltungen sowie VCO-Module! •
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MAX2338
183MHz
1900MHz
900MHz-Mobil-Frequenzband
DCS1800
PCS1900,
max2630
oscillator 45mhz 4pin
30mA-Ladungspumpe
max2323 ts
MAX2620
Maxim MAX2294
MAX2606
MAX2291
BBA SOT23-6 ON
ja 1620
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232ge
Abstract: STK 3400 Mischer IC MAX4644 oscillator 45mhz 4pin MAX2472 max2650 MAX2310 MAX1763 MAX2387
Text: CELLULAR/PCS PHONES Datenblätter • Anwendungsbeispiele Kostenlose Muster • e sgab u A . 3 NEU 3 m GND LNA_IN 10 BIAS_SET m 1 m x 3m LNA_OUT 1 GAIN 2 MIX_IN 3 BIAS 9 VCC 8 IF+ 7 IF- 9 VCC LO 6 LOLNA_IN 10 LO+ GND 11 5 SHDN BIAS_SET 12 4 MAX2387/MAX2388
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MAX2387/MAX2388
MAX2389
MAX2387/MAX2388/
MAX2389
SC70-Geh
SC70-5
MAX4490
10MHz
200pF
232ge
STK 3400
Mischer IC
MAX4644
oscillator 45mhz 4pin
MAX2472
max2650
MAX2310
MAX1763
MAX2387
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ecg semiconductors master replacement guide
Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Text: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei
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KT925
Abstract: KT925b kt925a Funkamateur SA 925 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Leistungstransistor KTS25 KT 100 925a
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 925 Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TG L 35490 UdSSR Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter Bedingungen Kurzzeichen Typ Kollektor/Basis-Spannung1 Kollektor/Emitter-Spannung1 (R be = 100 O)
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KT925
f-300
KT925b
kt925a
Funkamateur
SA 925
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
Leistungstransistor
KTS25
KT 100
925a
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KT920A
Abstract: KT920B KT907A KT904A KT610A KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A
Text: FUNKAM ATEUR - Bauelementeinformation VT Hochfrequenz-Leistungstransistoren aus der Sowjetunion Daten gebräuchlicher sowjetischer HF-Leistungstransistoren Typ Ucmi U cl.» CcAV M [V] [V] [A] [A] IW- Pu« [K/W] [W] fr Pom [MHz] [W] v P Bemer f.w [MHzj [dB] kungen
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KT610A
KT610S
KT61IIA-2
T610B-2
KT904A
KT904B
KT907A
KT904E
T911A
KT920A
KT920B
KT930A
KT925b
kt904
KT911A
KT925A
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KT920B
Abstract: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 kt 501 920B4 920a BT320
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 920 Silizium-npn-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TGL 35407 Hersteller: UdSSR Kurzcharakteristik Grenzwerte Param eter Bedingungen Typ K u rzzeichen K ollektor/B asis-S pannung1 UcBO U CER K o llek to r/E m itter-S p an n u n g 1(R aE s 100 fi)
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175MHz
KT920B
KT920A
KT920
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
Funkamateur
kt9205
kt 501
920B4
920a
BT320
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KT922B
Abstract: kt322a Funkamateur kt922 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation IC 922 IC f 922 KT912 kt922a HF Leistungstransistor
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 922 Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TGL 35408 UdSSR Grenzwerte P a r a m e te r B e d in g u n g e n Kurzcharakteristik T yp K u r z z e ic h e n K o lle k to r/B a s is -S p a n n u n g 1
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-S22A
300mA
250mA
KT322
150mA
-50mA
KT922B
kt322a
Funkamateur
kt922
FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation
IC 922
IC f 922
KT912
kt922a
HF Leistungstransistor
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SSY20
Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B
Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen Vorzugs anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3
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BD203
Abstract: bd204 BD201 BD 203 BD 201 transistors b0203 BD 202 transistors THP1
Text: BD 201 - BD 203 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Spitzenleistung • High peak power • Hohe Stromverstärkung
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BD234
Abstract: bd 236 BD - 100 V Bo 235 BD236 BD238 DIN125A JEDECTO126 din 125a BD 238
Text: BD 234 •BD 236 •BD 238 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power
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1723c
Abstract: TL1723C TL1723 tl3723c tl 464 1723 voltage regulator transistor tl transistor ag qs schaltungen 7144A
Text: » w TL 1723 C • TL 3723 C . Monolithisch Integrierte Schaltungen Monolithic Integrated Circuits A nw endungen: Spannungsstabilisator in Serien- oder Parallelschaltung, im Schalter- und masse freien Betrieb. Mit extern dazu geschalteten Leistungstransistoren sind
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TL1723
100pF
1723c
TL1723C
tl3723c
tl 464
1723 voltage regulator
transistor tl
transistor ag qs
schaltungen
7144A
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TESLA BP 4651
Abstract: tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM
Text: Fertigungssortiment ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE ELEKTRONENMIKROSKOPE NMR SPEKTROMETER EINHEITLICHE KLASSIFIKATION: FACHGEBIET391 TESLA BRNO NATIONALUNTERNEHMEN INHALT 39111 - ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE FÜR SPANNUNGEN UND ABGELEITETE GROSSEN K L A S S IF IK A T IO N
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FACHGEBIET391
TESLA BP 4651
tesla bm 388e
TESLA
TESLA BM 429
4090 dm hf nu
bp 4490
BM 445E
BP4650
tesla transistoren
TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft A109D mikroelektronik DDR a 109 opv VEB mikroelektronik schaltungen 861 TAA 761 A
Text: m D ^ a r ^ i e l e l Information Applikation - c t e n a n i l - c m ik ^ o e le k t3r*anik Information Applikation Heft 22: OPERATIONS-VERSTÄRKER- IS Teil 2 veb halbleiterwepk fran k fu rt/o d er im v e b k o m b i n a t m ik ro e le k tro n U c KAMMER DER TECHNIK
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101ra100
Abstract: 22RC10 71RA120 36RA80 101RC60 PR002W 40RCS60 151ra100 250pa120 250RA80
Text: EUROPEAN CATALOGUE CATALOGO EUROPEO EUROPAISCHER KATALOG CATALOGUE EUROPEEN In tro d u c tio n The products specified in this shortform catalogue have been selected from the comprehensive range manufactured by the International Rectifier group of Companies.
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik
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VEB mikroelektronik
Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Text: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP
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57AHNSDORP
VEB mikroelektronik
Mikroelektronik Information Applikation
mikroelektronik Heft 12
Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9
information applikation
information applikation mikroelektronik
mikroelektronik DDR
Halbleiterbauelemente DDR
aktive elektronische bauelemente ddr
mikroelektronik Heft
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SF126
Abstract: transistor SD335 SD349 SSY20 SF829 SD 338 SF826 mikroelektronik Berlin SD339 SD338
Text: Der Kollektor ist mit der metallischen Montageflache leitend verbunden Uw e Beier Transistoren aus dem Kombinat Mikroelektronik electrónica • Band 245 UWE BEIER Transistoren aus dem Kombinat M ikroelektronik M ILITARVERLAG DER DEUTSCHEN DEM OKRATISCHEN
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RPY 86
Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ
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VEB mikroelektronik
Abstract: Datenblattsammlung SY 625 V40511D mikroelektronik datenblattsammlung Diode KD 514 KD512A mikroelektronik Berlin "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat mikroelektronik Erfurt
Text: \ñ ñ lB rW *m X S á B Í4 ti& * 311' ill c e l e k t r o n i k - b a u e i e m e n t e ? 2/86 . Die vorliegenden Datenblätter beinhalten Listen i Infonmatic-aen ü b e r elektronischer Sie können abgeleitet beinhalten n ur z u r Information» Halbleiterbauelemente
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wiring diagram audio amplifier ic 6283
Abstract: germanium Transistor Shortform Datasheet & Cross References halbleiter index transistor 2N5160 MOTOROLA transistor ITT 2907 1N5159 2N 5574 inverter welder 4 schematic diagrams de ic lg 8838
Text: THC SEMICONDUCTOR DATA LIBRARY SECOND EDITION VOLUME H prepared by Technical Information Center The information in this book has been carefully checked and is believed to be reliable; however, no responsibility is assumed for inaccuracies. Furthermore, this information does not convey to the purchaser of semiconductor
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4L3052
4L3056
wiring diagram audio amplifier ic 6283
germanium
Transistor Shortform Datasheet & Cross References
halbleiter index transistor
2N5160 MOTOROLA
transistor ITT 2907
1N5159
2N 5574
inverter welder 4 schematic
diagrams de ic lg 8838
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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c 337 25
Abstract: SC160D tic 2160 triac V130HE150 General electric SCR C220 ES5449 4533 gem 2n4401 2n3904 2222a 1N21 es5451
Text: GENERAL ^ E L E C T R I C SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTEURS * HALBLEITER CONTENTS SOMMAIRE INHALT I N D E X . 3 I N D E X . 3
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