GCOY6101
Abstract: topled 2ma
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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PDF
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0283C
GCOY6101
topled 2ma
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GCOY6101
Abstract: osram topled
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Low Current) F 0347C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 590 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0347C
GCOY6101
osram topled
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GCOY6101
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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PDF
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0292C
GCOY6101
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DIODE 630
Abstract: GCOY6101
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, Low Current) F 0349C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 630 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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PDF
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0349C
DIODE 630
GCOY6101
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, Low Current) F 0348C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 605 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0348C
0348C
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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PDF
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0292C
0292C
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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PDF
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0283C
0283C
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osram mini top LED rot
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, Low Current) F 0349C Vorläufige Daten / Preliminary D ata Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µ m2 • Wellenlänge: 630 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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PDF
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0349C
0349C
osram mini top LED rot
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Low Current) F 0347C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 590 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0347C
0347C
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0348C
Abstract: GCOY6101
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, Low Current) F 0348C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 605 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0348C
0348C
GCOY6101
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