GCOY6101
Abstract: osram topled
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Low Current) F 0347C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 590 nm • Technologie:InGaAIP
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Original
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0347C
GCOY6101
osram topled
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Low Current) F 0347C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 590 nm • Technologie:InGaAIP
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0347C
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