Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N •概要 ■特長 ELM34605AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。
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Original
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ELM34605AA-N
-55Id
P3503QVG
OCT-08-2004
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复合
Abstract: ELM34605AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34605AA-N •概要 ■特点 ELM34605AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-6A ·Rds on < 25mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V)
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Original
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ELM34605AA-N
FieldELM34605AA-N
P3503QVG
OCT-08-2004
复合
ELM34605AA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34605AA-N •General Description ■Features ELM34605AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 25mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 37mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34605AA-N
ELM34605AA-N
FieldELM34605AA-N
P3503QVG
OCT-08-2004
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nikos
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34605AA-N •General Description ■Features ELM34605AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 25mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 37mΩ(Vgs=4.5V)
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ELM34605AA-N
ELM34605AA-N
FieldELM34605AA-N
P3503QVG
OCT-08-2004
nikos
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