ELM34402AA
Abstract: P2003b p2003bvg
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM34402AA-N •概要 ■特点 ELM34402AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=8A ·Rds on < 20mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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Original
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ELM34402AA-N
P2003BVG
JUL-25-2005
ELM34402AA
P2003b
p2003bvg
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM34402AA-N •General description ■Features ELM34402AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=8A Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM34402AA-N
ELM34402AA-N
P2003BVG
JUL-25-2005
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM34402AA-N •概要 ■特長 ELM34402AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=8A ・ Rds on < 20mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM34402AA-N
P2003BVG
JUL-25-2005
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Text: Single N-channel MOSFET ELM34402AA-N •General description ■Features ELM34402AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=8A Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
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P2003BVG
JUL-25-2005
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