BPY 10
Abstract: P1029 Q62702-P1029 Q62702-P9 fso06016
Text: BPY 12 BPY 12 H 1 BPY 12 BPY 12 H 1 feo06697 fso06016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
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Original
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feo06697
fso06016
Q62702-P9
Q62702-P1029
Beze140
BPY 10
P1029
Q62702-P1029
Q62702-P9
fso06016
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BPY 10
Abstract: PHOTOVOLTAIC CELL Silicon Group Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 "PHOTOVOLTAIC CELL"
Text: BPY 11 P BPY 11 P fso06032 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite
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Original
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fso06032
BPY 10
PHOTOVOLTAIC CELL
Silicon Group
Q60215-Y111-S4
Q60215-Y111-S5
"PHOTOVOLTAIC CELL"
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foto transistor
Abstract: BPY62 foto Y1112 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 npn phototransistor
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
foto transistor
BPY62
foto
Y1112
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
npn phototransistor
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"PHOTOVOLTAIC CELL"
Abstract: Silicon Group Q60215-Y63-S1 BPY 10
Text: BPY 63 P BPY 63 P fso06635 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fso06635
"PHOTOVOLTAIC CELL"
Silicon Group
Q60215-Y63-S1
BPY 10
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Silicon Group
Abstract: Q60215-Y67
Text: BPY 64 P BPY 64 P fso06636 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite
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Original
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fso06636
Silicon Group
Q60215-Y67
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PHOTOVOLTAIC CELL
Abstract: Q60215-Y66 BPY47p
Text: BPY 47 P BPY 47 P fso06633 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite
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Original
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fso06633
PHOTOVOLTAIC CELL
Q60215-Y66
BPY47p
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Q60215-Y67
Abstract: No abstract text available
Text: BPY 64 P BPY 64 P fso06636 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite
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Original
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fso06636
Q60215-Y67
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Q60215-Y65
Abstract: No abstract text available
Text: BPY 48 P BPY 48 P fso06634 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fso06634
Q60215-Y65
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bpy 62-4
Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
bpy 62-4
Q60215-Y1111
foto transistor
Y1112
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
Q60215Y1113
BPY62
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PHOTOVOLTAIC CELL
Abstract: Q60215-Y63-S1
Text: BPY 63 P BPY 63 P fso06635 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kathode = Chipunterseite
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Original
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fso06635
PHOTOVOLTAIC CELL
Q60215-Y63-S1
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1113
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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Original
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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Original
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BPY62
Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
BPY62
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y5198
Q60215-Y62
Q60215Y1113
BPY 62-3/4
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Bpy 43
Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 400 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
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bp 103-2
Abstract: Q62702-P79-S2 bp 103-5 Q62702-P1641
Text: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren 2. Fototransistoren 2. Phototransistors 2.4 2.4 im hermetisch dichten Metallgehäuse Type Package deg. mm2 mA V nm US ±8 0.12 0.5 . 2.5 50 420 . 1130 BPY 62-3 0.8 . 1.6 7 Q60215-Y1112 BPY 62-4 1.25 . 2.5 9
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Q62702-P47
Q62702-P928
Q62702-P76
Q62702-P55
bp 103-2
Q62702-P79-S2
bp 103-5
Q62702-P1641
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Sjlizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm • Kathode = Chipunterseite
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BPY11
235bG5
flE3Sb05
GG573ci3
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BPY64
Abstract: Q60215-Y67
Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P Anode red * Max. solder areas on front and back side gsoo 6636 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale
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GS006636
BPY64
Q60215-Y67
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BPY62
Abstract: Siemens photodiode SIEMENS Phototransistors BPY
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position 2.7 BPY 62 Radiant sensitive area \ 00.45 .1I v _ . . 12.5 5.1 4.8 _—6.2 k 5.4 Approx. weight 1.0 g M aße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified
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0HF01SB8
BPY62
Siemens photodiode
SIEMENS Phototransistors BPY
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SIEMENS Phototransistors BPY
Abstract: Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position BPY 62 R ad ian t sensitive area ^ 2 -7 0 0 .4 5 A 14.5 5.1 12.5 4.8 6.2 5.4 o Approx. w eight 1.0 g 5fi o E M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified
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WCE0250
OHF01593
0HF01916
SIEMENS Phototransistors BPY
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
WCE0250
SIEMENS Phototransistors
Q60215Y1111
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tic 1060
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 48 P Diode and s o ld e r pads la cquered Active area - 6.4 u 6.2 S trands soldered r*-i^o o 5 1 i 7 r X , « 0 .5 5 /» Q -5 ^ ol° 0 .7 '^ - 80 - 70 30 - ¡ i^ \ ^ - \ c 5 Anode red and back side
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GS0066J4
tic 1060
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell D io d e and s o ld e r p o d s A c tiv e BPY 47 P la c q u e re d o re a “ f— 10.2 10 .0 r M ax . ond A p p ro *, s o ld e r bock a re a s on 3 0 *]T 5 p fso06633 0 0 .5 5 »0.5 iro n l s id e w e ig h t 0 .3
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tic 1060
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell D io d e and s o ld e r pods A c tiv e a re a BPY 64 P la c q u e re d Cvl I t J 66-4 u .2 S tr a n d s ^ 0^0 tO llT i ö lö s o ld e re d I 2 . 5 '1 J—1 '• — ■• •• 0 0 .5 5 / 00.5 3 .0
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9G990OSJ
BPY64P
tic 1060
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p1029
Abstract: SIEMENS BPY12h1 applications
Text: SIEMENS D io d e and s o ld e r p a d s A c tiv e B P Y 12 BPY 12 H 1 tsoQ6016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode la c q u e re d a re a L cs o I i n uS 5 .2 55 5 .0 50 Anode S tr a n d s ’ M a x. s o ld e r a re a s and back A p p ro x . on
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feo06697
BPY12
BPY12H1
p1029
SIEMENS BPY12h1 applications
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