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    Q60215Y1113 Search Results

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    Q60215Y1113 Price and Stock

    ams OSRAM Group BPY 62-4

    Phototransistors PHOTODIODE
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Mouser Electronics BPY 62-4 5,632
    • 1 $3.09
    • 10 $2.09
    • 100 $1.57
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    AMO Q60215Y1113

    BPY 62-4 - Phototransistors Metal Can TO18 Silicon NPN Phototransistor
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    Future Electronics Q60215Y1113 Bag 10 Weeks 2,000
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    ams OSRAM Group Q60215Y1113

    Phototransistors PHOTODIODE
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    TTI Q60215Y1113 Bulk 2,000
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    • 10000 $1.37
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    Q60215Y1113 Datasheets (3)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Datasheet Type PDF
    Q60215-Y1113 Infineon Technologies TO-18 Dark Current, 0.000000005, ModulePhototransistor Original PDF
    Q60215Y1113 OSRAM Phototransistor, Phototransistor in TO-18 Metal Package, Half Angle ±8 Original PDF
    Q60215-Y1113 Siemens NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Original PDF

    Q60215Y1113 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Bpy 43

    Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C


    Original     		PDF

    bpy 62-4

    Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
    Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from


    Original     		PDF fmof6019 IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o bpy 62-4 Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62

    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
    Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111


    Original     		PDF GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62

    Bpy 43

    Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
    Text: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)


    Original     		PDF Q62702-P3595 Q62702-P3593 Q62702-P999 Q62702-P3594 Q6270 Q62702-P1677 Q62702-1129 Q62702-P216 Q62702-P956 Q62702-P1671 Bpy 43 BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4

    GMOY6019

    Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 10
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit


    Original     		PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 400 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:


    Original     		PDF D-93055

    STR G 8654

    Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
    Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date


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    phototransistor 600 nm

    Abstract: BPY62 bpy 62-4
    Text: 2009-07-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 400 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 400 . 1100 nm • Gehäuse: Metall Gehäuse TO-18 , hermetisch


    Original     		PDF D-93055 phototransistor 600 nm BPY62 bpy 62-4

    GMOY6019

    Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit


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    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
    Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com


    Original     		PDF GEXY6713 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code

    fototransistor BPW 39

    Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.


    Original     		PDF EN60825-1 GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 fototransistor BPW 39 fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor

    foto transistor

    Abstract: BPY62 foto Y1112 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 npn phototransistor
    Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from


    Original     		PDF fmof6019 IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o foto transistor BPY62 foto Y1112 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 npn phototransistor

    BPY62

    Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C


    Original     		PDF IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o BPY62 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4

    isl 6251 schematic

    Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
    Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.


    Original     		PDF Q62702-A772 Q62702-A731 Q62702-A773 OT-23 isl 6251 schematic smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs

    GMOY6019

    Abstract: OHLY0598 Q60215Y1113
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit


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    FP 310

    Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
    Text: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26


    OCR Scan     		PDF 6N135 6N136 6N138 6N139 BPW21 H62702-P3051 Q62702-P3009 Q62702-P3057 Q62702-P3058 Q62702-P3054 FP 310 Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A

    SIEMENS Phototransistors BPY

    Abstract: Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111
    Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position BPY 62 R ad ian t sensitive area ^ 2 -7 0 0 .4 5 A 14.5 5.1 12.5 4.8 6.2 5.4 o Approx. w eight 1.0 g 5fi o E M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified


    OCR Scan     		PDF WCE0250 OHF01593 0HF01916 SIEMENS Phototransistors BPY Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111

    BPY62

    Abstract: Siemens photodiode SIEMENS Phototransistors BPY
    Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position 2.7 BPY 62 Radiant sensitive area \ 00.45 .1I v _ . . 12.5 5.1 4.8 _—6.2 k 5.4 Approx. weight 1.0 g M aße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified


    OCR Scan     		PDF 0HF01SB8 BPY62 Siemens photodiode SIEMENS Phototransistors BPY

    lg 6154

    Abstract: KTY 10-8 DL1416 KTY 20-5 DL440 O62902-B156-F222 Q62901-B64
    Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummern Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer lyp


    OCR Scan     		PDF Q60215-Y62 O60215-Y63-S1 Q60215-Y65 Q60215-Y66 Q60215-Y67 Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 lg 6154 KTY 10-8 DL1416 KTY 20-5 DL440 O62902-B156-F222 Q62901-B64

    bpy 79

    Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
    Text: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2


    OCR Scan     		PDF BPW21 Q62702-P75 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 62702-P781 Q62702-P84 Q62702-P1605 Q62702-P885 bpy 79 irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis

    KTY 88

    Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
    Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code


    OCR Scan     		PDF Q60215-Y111-S5 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q60215-Y63-S1 Q60215-Y65 Q60215-Y66 Q60215-Y67 Q62607-S60 KTY 88 KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222

    SFH 255 FA

    Abstract: LR 2703 LY3360K dl340m FP310L100-75 Q68000-A8452
    Text: AlphanumerischesTypenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems type Bestellnummer Seite Type Bestellnummer Seite


    OCR Scan     		PDF 068000-A5018 Q68000-A5017 Q68000-A5707 Q62703-N26 Q62703-N51 Q62703-N52 Q68000-A7302 Q68000-A7303 Q68000-A7304 Q68000-A8086 SFH 255 FA LR 2703 LY3360K dl340m FP310L100-75 Q68000-A8452

    bp 103-2

    Abstract: Q62702-P79-S2 bp 103-5 Q62702-P1641
    Text: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren 2. Fototransistoren 2. Phototransistors 2.4 2.4 im hermetisch dichten Metallgehäuse Type Package deg. mm2 mA V nm US ±8 0.12 0.5 . 2.5 50 420 . 1130 BPY 62-3 0.8 . 1.6 7 Q60215-Y1112 BPY 62-4 1.25 . 2.5 9


    OCR Scan     		PDF Q62702-P47 Q62702-P928 Q62702-P76 Q62702-P55 bp 103-2 Q62702-P79-S2 bp 103-5 Q62702-P1641