kaschke
Abstract: No abstract text available
Text: Unterhaltungselektronik Die Firma Kaschke fertigt bereits seit den frühen 50er Jahren Carbonyleisen- und Ferritwerkstoffe für die Produktion von Hochfrequenzfiltern für Tuner- und Zwischenfrequenzbausteinen. Mit dem Einzug der Fernsehtechnik wurde die Herstellung von Induktivitäten für alle Funktionen von TVGeräten, Videorecordern, Rundfunk- und Satellitenreceivern sowie Navigationssystemen aufgenommen
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VIPer22A circuit diagram
Abstract: viper22a transformer design 10v regulator using viper22a VIPER22A VIPER22A for DIGITAL VIPER22A Application Note viper22a 5v power supply design VIPer22A pin diagram capacitor 1u/400V capacitor 10u 35V
Text: AN1698 APPLICATION NOTE VIPower: DIGITAL TV RECEIVER POWER SUPPLY WITH VIPer22A A. BAILLY Many new video channels have been provided to the end user in the past few years: on top of the conventional terrestrial analog broadcast and everyones’ videorecorder, one can get images from cable,
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AN1698
VIPer22A
VIPer22A circuit diagram
viper22a transformer design
10v regulator using viper22a
VIPER22A
VIPER22A for DIGITAL
VIPER22A Application Note
viper22a 5v power supply design
VIPer22A pin diagram
capacitor 1u/400V
capacitor 10u 35V
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VIPer22A circuit diagram
Abstract: 10v regulator using viper22a VIPER22A VIPER22A Application Note viper22a transformer design 1000uf, 25v electrolytic capacitor footprint ic viper22a VIPER22A for DIGITAL VIPER22A switching power supply viper22a 5v power supply design
Text: AN1698 APPLICATION NOTE VIPower: DIGITAL TV RECEIVER POWER SUPPLY WITH VIPer22A A. BAILLY Many new video channels have been provided to the end user in the past few years: on top of the conventional terrestrial analog broadcast and everyones’ videorecorder, one can get images from cable,
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Original
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AN1698
VIPer22A
VIPer22A circuit diagram
10v regulator using viper22a
VIPER22A
VIPER22A Application Note
viper22a transformer design
1000uf, 25v electrolytic capacitor footprint
ic viper22a
VIPER22A for DIGITAL
VIPER22A switching power supply
viper22a 5v power supply design
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SFH485P
Abstract: OHLPY985
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
720-SFH485P
SFH485P
OHLPY985
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osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
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4580
Abstract: opto 2505 SFH4585 fotodiod
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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Original
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720-SFH4580
720-SFH4585-Z
4585-Z
4580
opto 2505
SFH4585
fotodiod
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62703Q0516
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SFH 485-2
Abstract: No abstract text available
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29
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GEX06271
GEX06305
SFH484
SFH 485-2
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LD271 IR LED
Abstract: LD271 APPLICATIONS IR LD271 siemens LD
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06239 Approx. weight 0.5 g Cathode 5.9 5.5 OO T— ¡a 0.6 0.4 Area not flat GE006645 Chip position Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06239
GE006645
Ie100
LD271,
LD271 IR LED
LD271 APPLICATIONS
IR LD271
siemens LD
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm BPW 34 FS (E9087) en Cathode lead CD O GEO06916 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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E9087)
GEO06916
E9087:
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area n ot flat SFH 204 F SFH 204 FA Chip position 5.1 4.7 is W GE006964 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GE006964
SFH204F
OHF2O31O10*
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Q62702-P5072
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-lnfrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features •
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3100F
3100F
SFH4110
Q62702-P5072
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4510
Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area not fla t SFH 205 SFH 206 Radiant sensitive area Cathode i L •«-; r-s _ t o -si 1 _ A- 3.7 GE0Û665 A p pro x. w e ig h t 0 .25 g Area not fla t 0 .6 x 0 .5
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00575flfl
fl235bOS
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tagelichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei
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fi235b05
0D57b42
SFH235
fl23SbQ5
D0S7b43
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Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 BP 104 FS sp acing -R a d ia n t sensitive area C athode A pp ro x. w e ig ht 0.1 g C hip p osition P hotosensitive Area = 2 .2 0 m m x 2 .2 0 m m
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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D-93055
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GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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GEOY6422
Abstract: Q62702-P273
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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