Please enter a valid full or partial manufacturer part number with a minimum of 3 letters or numbers

    TRANSISTOR U79 Search Results

    TRANSISTOR U79 Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    TTC5886A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22V / tf=120ns Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTA2097 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation PNP Bipolar Transistor / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27V / tf=60ns Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPQR8308QB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 80 V, 350 A, 0.00083 Ω@10V, L-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    XPQ1R00AQB Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-ch MOSFET, 100 V, 300 A, 0.00103 Ω@10V, L-TOGL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TK190U65Z Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    TRANSISTOR U79 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    NEC k 2134 transistor

    Abstract: NEC k 2134 k 2134 nec TRANSISTOR nf 842 u79 transistor nf025 NF 817 3SK206 4009 not gate u-79
    Text: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK206 RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL GaAs DUAL GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD FEATURES PACKAGE DIMENSIONS use as RF amplifier in UHF TV tuner. 0.02 pF TYP. 20 dB TYP. 1.1 dB TYP. in millimeters +0.2


    Original     		PDF 3SK206 NEC k 2134 transistor NEC k 2134 k 2134 nec TRANSISTOR nf 842 u79 transistor nf025 NF 817 3SK206 4009 not gate u-79

    LSTM

    Abstract: No abstract text available
    Text: Large Type Small Signal Transistor Mold Package LSTM パッケージ 外形図 パッケージ形状および寸法 単位 : mm 8.2 max 5.1 max 0.75 max 0.6 max 0.6 max 1.27 4.1 max 1.27 10.5 min 1.0 0.8 max 2.2 max 1.0 max 1 2 3 東芝パッケージ名称


    Original     		PDF 92MOD LSTM

    TRANSISTOR S1A

    Abstract: TO220FL MOSFET S1A S1A TRANSISTOR TO-220FL
    Text: Transistor Outline Package TO-220FL パッケージ 外形図 パッケージ形状および寸法 単位 : mm 1.32 10.6 max 9.1 10.3 max 2.5 max 0.76 2.54 ±0.25 12.6 min 1.6 max 2.54 ±0.25 3 0.5 2 1 1 2 3 4.7 max 2.6 Bottom view 東芝パッケージ名称


    Original     		PDF O-220FL 220FL 10S1A 10S1B 10D1A 10S1C TRANSISTOR S1A TO220FL MOSFET S1A S1A TRANSISTOR TO-220FL

    TRANSISTOR 545

    Abstract: No abstract text available
    Text: Transistor Outline Package TO-3P W パッケージ 外形図 パッケージ形状および寸法 単位 : mm 0.8 +0.2 –0.1 15.5 ±0.3 A 20.0 ±0.3 3.0 max 4.5 φ3.2 ±0.2 A 1.0 +0.3 –0.25 5.45 1 2 3 3 0.8 +0.3 –0.1 5.45 1 (Bottom view) 東芝パッケージ名称


    Original     		PDF 16K1A TRANSISTOR 545

    Transistor 9013

    Abstract: H9013 C047BJ-00 8050S SS9013 SS9013H90138050S NPN SILICON TRANSISTOR 9013
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9013 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C047BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：470x470µm2 焊位尺寸：B 极 103×103µm2，E 极 98×98µm2


    Original     		PDF 100mm C047BJ-00 SS9013H90138050S 625mW 700mA 25VIE 500mA 500mAIB Transistor 9013 H9013 C047BJ-00 8050S SS9013 SS9013H90138050S NPN SILICON TRANSISTOR 9013

    transistor 9015

    Abstract: pnp transistor 9015 H9015 9015 TO-92 SS9015 SS9015H9015 C035BJ-00
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9015 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C035BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：350x350µm 2 焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2


    Original     		PDF 100mm C035BJ-00 SS9015H9015 450mW -150mA -30VIE -100mAIB transistor 9015 pnp transistor 9015 H9015 9015 TO-92 SS9015 SS9015H9015 C035BJ-00

    Transistor 9012

    Abstract: H9012 8550S SS9012
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9012 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A047BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：470x470µm 2 焊位尺寸：B 极 103×103µm2，E 极 98×98µm2


    Original     		PDF 100mm A047BJ-00 SS9012H90128550S 625mW -700mA -25VIE -50mA -500mA Transistor 9012 H9012 8550S SS9012

    transistor 9013

    Abstract: NPN SILICON TRANSISTOR 9013 VCEO-20V h9013 8050S SS9013
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9013 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C043BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：430x430µm2 焊位尺寸：B 极 107×107µm2，E 极 101×101µm2


    Original     		PDF 100mm C043BJ-00 SS9013H90138050S 625mW 500mA 25VIE 500mAIB transistor 9013 NPN SILICON TRANSISTOR 9013 VCEO-20V h9013 8050S SS9013

    transistor 1015

    Abstract: 2SA1015 A035BJ-01 2SA1015H1015 H1015
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 1015 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A035BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：350x350µm 2 焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2


    Original     		PDF 100mm A035BJ-01 2SA1015H1015 400mW -150mA -50VIE -100mA transistor 1015 2SA1015 A035BJ-01 2SA1015H1015 H1015

    Transistor 9012

    Abstract: H9012 equivalent a043 8550S H9012 SS9012 A043BJ-00 VCEO-20V
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9012 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A043BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：430x430µm 2 焊位尺寸：B 极 107×107µm2，E 极 101×101µm2


    Original     		PDF 100mm A043BJ-00 SS9012H90128550S 625mW -500mA -25VIE -50mA Transistor 9012 H9012 equivalent a043 8550S H9012 SS9012 A043BJ-00 VCEO-20V

    transistor 9014

    Abstract: H9014 "transistor" 9014 transistor 9014 NPN C035BJ-00 SS9014H9014 h9014 datasheet SS9014 9014 transistor B 9014 npn
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 9014 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C035BJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：350x350µm 2 焊位尺寸：B 极 12150µm 2，E 极 16180µm 2


    Original     		PDF 100mm C035BJ-00 SS9014H9014 450mW 150mA 30VIE 100mAIB transistor 9014 H9014 "transistor" 9014 transistor 9014 NPN C035BJ-00 SS9014H9014 h9014 datasheet SS9014 9014 transistor B 9014 npn

    transistor 5401

    Abstract: H5401 2N5401
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 5401 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A043BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：430x430µm2 焊位尺寸：B 极 107×107µm2，E 极 101×101µm2


    Original     		PDF 100mm A043BJ-01 2N5401H5401 625mW -160V -150V -600mA transistor 5401 H5401 2N5401

    transistor 5551

    Abstract: H5551 2N5551
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 5551 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C043BJ-01 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：430x430µm 2 焊位尺寸：B 极 107×107µm2，E 极 101×101µm2


    Original     		PDF 100mm C043BJ-01 2N5551H5551 625mW 600mA 120VIE 10mAIB 50mAIB transistor 5551 H5551 2N5551

    KSH13009

    Abstract: 13009a transistor 13009a MA1040
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13009A 晶体管芯片 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D400AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：4000x4000µm 2 焊位尺寸：B 极 783×1100µm 2，E 极 754×1276µm 2


    Original     		PDF 3009A 100mm D400AG-00 KSH13009 O-220 10mAIB 12AIB 10VIC KSH13009 13009a transistor 13009a MA1040

    transistor TIP42c

    Abstract: TIP42C
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR TIP42C 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A178AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1780x1780µm 2 焊位尺寸：B 极 360×498µm 2；E 极 364×502µm 2


    Original     		PDF TIP42C 100mm A178AG-00 TIP42CHP42C O-220 -100V transistor TIP42c TIP42C

    transistor 13003

    Abstract: PC 13003 TRANSISTOR KSE13003HE13003 NPN transistor 13003 TO-126 13003 TO-126 PC 13003 13003 HE13003 13003 TRANSISTOR transistor 13003 C
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13003 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D180BG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1800x1800µm 2 焊位尺寸：B 极 320×320µm 2，E 极 200×300µm 2


    Original     		PDF 100mm D180BG-00 KSE13003HE13003 O-126/220 10VIC 125VIc transistor 13003 PC 13003 TRANSISTOR KSE13003HE13003 NPN transistor 13003 TO-126 13003 TO-126 PC 13003 13003 HE13003 13003 TRANSISTOR transistor 13003 C

    transistor 13005

    Abstract: KSE13005HE13005 D260AG-00 KSE13005 10VIC
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13005 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D260AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：2600x2600µm 2 焊位尺寸：B 极 366×540µm 2，E 极 292×560µm 2


    Original     		PDF 100mm D260AG-00 KSE13005HE13005 O-220 10mAIB 10VIC 125VIC transistor 13005 KSE13005HE13005 D260AG-00 KSE13005

    transistor TIP32C

    Abstract: TIP32C
    Text: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR TIP32C 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A126AG-02 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260x1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2


    Original     		PDF TIP32C 100mm A126AG-02 TIP32CHP32C O-220 -100V transistor TIP32C TIP32C

    TRANSISTOR TIP31C

    Abstract: HP31C TIP31C
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR TIP31C 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C150AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1500x1500µm 2 焊位尺寸：B 极 290×450µm 2；E 极 285×450µm 2


    Original     		PDF TIP31C 100mm C150AG-00 TIP31CHP31C O-220 30mAIB 60VIB 100VVEB TRANSISTOR TIP31C HP31C TIP31C

    transistor 5551

    Abstract: C046AJ-00 H5551 2N5551 PC625 2N5551H5551
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 5551 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C046AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：460x460µm 2 焊位尺寸：B 极 110×110µm 2；E 极 110×110µm 2


    Original     		PDF 100mm C046AJ-00 2N5551H5551 625mW 600mA 120VIE 10mAIB 50mAIB transistor 5551 C046AJ-00 H5551 2N5551 PC625 2N5551H5551

    transistor 669A

    Abstract: H669A 2SD669AHS669AH669A C117AJ-00 669A H669 C117A 2SD669A HS669A transistor 160v 1.5a npn
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 669A 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C117AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1170x1170µm 2 焊位尺寸：B 极 272×192µm 2；E 极 226×298µm 2


    Original     		PDF 100mm C117AJ-00 2SD669AHS669AH669A O-126TO-126ML 10mAIB 160VIE 150mA 500mA transistor 669A H669A 2SD669AHS669AH669A C117AJ-00 669A H669 C117A 2SD669A HS669A transistor 160v 1.5a npn

    KSC2328A

    Abstract: VCBO-30V
    Text: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 2328S 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C080BJ-03 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：800x800µm 2 焊位尺寸：B 极 124×124µm 2；E 极 221×110µm 2


    Original     		PDF 2328S 100mm C080BJ-03 KSC2328AH2328S 10mAIB 30VIE 500mA KSC2328A VCBO-30V

    u79 transistor

    Abstract: TRANSISTOR U79 transistor d 1557
    Text: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK206 RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL GaAs DUAL GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD FEATURES • PACKAGE DIMENSIONS Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. • Low Crss: 0 .0 2 • High G 20 dB TYP.


    OCR Scan     		PDF 3SK206 u79 transistor TRANSISTOR U79 transistor d 1557

    P10568EJ2V0DS00

    Abstract: NEC 939 u79 transistor u79 335 NEC 2134 transistor NEC m 2134 transistor
    Text: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK206 RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL G a As DUAL GATE MES FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD FEATURES • Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. • Low Crss: • • High G p s : 20 dB TYP. Low NF:


    OCR Scan     		PDF 3SK206 P10568EJ2V0DS00 NEC 939 u79 transistor u79 335 NEC 2134 transistor NEC m 2134 transistor