DD104N12K-A circuit
Abstract: DD171N12K Thyristor Tabelle DD104N12K-A eupec DD171N12k ND89N12K T1059N Eupec Power Semiconductors Phase Control Thyristor tellerfeder ND260N12K 3KM17
Text: . power the Home Products Stacks News Contact Disc Assemblies Editorials Disc Type Stack circuit Job Offers Company Module Stacks Search Site Content Heatsinks M1C <180 V <500 V line Voltage eff 690 V M2C <180 V <500 V 690 V 1000 V M3C <180 V <500 V 690 V
|
Original
|
PDF
|
10T588N
T589N
T618N
T659N
T688N
T699N
T718N
T719N
T878N
T879N
DD104N12K-A circuit
DD171N12K
Thyristor Tabelle
DD104N12K-A
eupec DD171N12k
ND89N12K
T1059N Eupec Power Semiconductors Phase Control Thyristor
tellerfeder
ND260N12K
3KM17
|
tellerfedern
Abstract: Dioden Tabelle SKN 2700 gleichrichterdiode tellerfeder semikron tse 7500 3300 Leistungstransistor electrolube bzw15
Text: 8. Gleichrichterdioden Besondere Merkmale Typische Anwendungen Kunststoffgekapselte Kleindioden • Sperrspannungen bis 1700 V • Universal-Gleichrichterdioden • Axialdioden, gegurtet für automatische Bestückung • Beschaltungsdioden RCD Dioden mit Gewindestutzen
|
Original
|
PDF
|
|
Thyristor Tabelle
Abstract: tellerfeder
Text: Einstellung der Spannkraft 1. Ermitteln der Spannkraft Fs Fs = 0,8 Fmax Fs : erforderliche Spannkraft für Diode/Thyristor im Kühlblock Fmax : max. Anpreßkraft für Diode/Thyristor nach Tabelle xx FSK : max. Spannkraft der Federsäule fs : Federweg der Federsäule
|
Original
|
PDF
|
|
Thyristor Tabelle
Abstract: semikron tse skiw 900/16 DIODE i2t electrolube thyristoren tellerfeder
Text: 3. Thyristoren Besondere Merkmale Typische Anwendungen Thyristoren mit Gewindestutzen • Hermetische Metallgehäuse mit Glasisolatoren • Gleichstrommotor-Steuerungen z. B. für Werkzeugmaschinen • Gewindestutzen ISO M5.M24 x 1,5, • Gesteuerte Gleichrichter (z. B. für Batterieladung)
|
Original
|
PDF
|
|
Varistoren lebensdauer
Abstract: semikron skpt 25 semikron skpt SKPT 25 SKPT 11 SKPT25A3 SKPT Varistoren bimetall Thyristor Tabelle
Text: 14.2 SEMIKRON Impulsübertrager Typenschlüssel SK PT 27 a 10 SEMIKRON-Bauelement Pulsübertrager Gehäusegröße Übersetzungsverhältnis a, i 1:1 b, k 1:1:1 c 2:1 d 3:1 e 3:1:1 f 4:1 g 2:1:1 h 1:1:1:1 Typennummer ungefährer ∫ vdt-Wert [µVs]/100 Technische Erläuterungen
|
Original
|
PDF
|
|