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    SFH 960 Search Results

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    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    PDF GEO06314 GET06091 GET06013 OHRD1938 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960

    SFH400

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF GETY6091 GEOY6314 GETY6013 SFH400

    BPX65

    Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    transistor 415

    Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    PDF GEOY6645 GEXY6630 transistor 415 OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296

    OHRD1938

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    PDF 415-U 416-R Q62702-P296 Q62702-P1137 Q62702-P1139

    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    it 401 a

    Abstract: Q62702P0097
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    transistor 415

    Abstract: MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,


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    PDF stea01-01 GEO06645 GEX06630 transistor 415 MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960

    Q62702P0097

    Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 •


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    PDF 415-U

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden


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    PDF O-46-Geh

    OHRD1938

    Abstract: sfh481-3
    Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden


    Original
    PDF O-46-Geh OHRD1938 sfh481-3

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2


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    PDF fex06250 GEX06250 OHR00865 OHR01887

    4510

    Abstract: d 4515 4510 datasheet GEOY6968 GEOY6969 OHFY2449 OHRD1938 Marking Code Sorted by Type
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


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    sfh4515

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad


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    Q65110A2463

    Abstract: SFH4243 Q65110-A2463
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Not for new design Replacement: SFH4243 (for SFH420) / SFH4244 (for SFH425) Wesentliche Merkmale


    Original
    PDF SFH4243 SFH420) SFH4244 SFH425) Q65110A2463 SFH4243 Q65110-A2463

    OHRD1938

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden


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    PDF O-46-Geh OHRD1938

    GPL06724

    Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    Q62702-P0330

    Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder


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    Q65110A2473

    Abstract: GPL06724 GPL06880
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen


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