Q62703-Q4752
Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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GEO06314
GET06091
GET06013
Q62703-Q4752
diode 482
diode SR 315
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1665
Q62703-Q1668
SFH480
Q62703Q1087
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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all220)
GETY6091
GETY6013
GEOY6314
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diode SR 315
Abstract: sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667
Text: SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 fet06092 fet06091 fet06090 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 537
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fet06092
fet06091
fet06090
diode SR 315
sfh 482 diode
E7800
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
tci 537
Q62703-Q1667
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GEO06314
Abstract: GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00881
OHR00948
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
Q62703-Q1667
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IR photodetectors
Abstract: diode SR 315 E7800 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00881
OHR00948
OHR00396
IR photodetectors
diode SR 315
E7800
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
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diode SR 315
Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) welded 14.5 12.5 Chip position (2.7) 5.3 5.0 6.4 5.6 5.5 5.0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 Radiant sensitive area 1.1 .9 1.1 0.9 ø4.8 ø4.6 ø0.45 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401
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GET06091
fet06091
fet06090
GEO06314
OHR00396
diode SR 315
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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diode SR 315
Abstract: BPX65 high sensitive
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area L GE006314 o a > o (O o Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481
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E006314
GET06091
GET06013
BPX65)
diode SR 315
BPX65 high sensitive
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480 SFH 481 SFH 482 rC a th o d e (SFH 4 8 0 ) R adiant i1 Anode (SFH 216, SFH 231, Sensitive area Chip p osition (2 .7 ) I SFH 4 0 0 ) \y o . / ~i t4 y / 0 0 .4 5 I -1 (T 7
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AP 4812
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) S * ' Anode = SFH 4 8 0 C a th o d e = SFH 4 0 0 SFH 480 SFH 481 SFH 482 (p a cka g e ) 1 4 .5 1 2 .5 ' A p p r o x . w e ig h t 0 . 3 5 g Anode = C a th o d e = 2 .7 0 0 .4 5 - • - C h ip
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a23SbOS
AP 4812
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lem 732 733
Abstract: SFH 4813
Text: SIEMENS SFH480 SFH481 SFH482 GaAIAs INFRARED EMITTER Package Dimensions in Inches mm SRM 90 .291 (7.4) .259 {6.6) .571 m .s \ .208(5.31 .402(12.5) .197(5) .189 (4.8) .181 (4.6) (2541 0.0 1 8 {0.45} .106 (2.7) Chfc Location .220(5.6) J208 (SJ3) N Cathode
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SFH480
SFH481
SFH482
8FH491
SFH480,
SFH481,
SFH482,
SFH480M8f:
SFH482:
SFH480:
lem 732 733
SFH 4813
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Technische Erläuterungen SIEMENS 1 Anwendungen Unser um fangreiches Produktspektrum Hauptanwendungsgebieten eingesetzt: • • • • an Infrarot-Lum ineszenzdioden wird in folgenden Unterhaltungselektronik Fernsteuerung von TVs und VCRs, drahtlose Kopfhörer
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SFH 209
Abstract: LM 4812 SFH402 IFT00 BPX66
Text: SIEMENS SFH480 SFH481 SFH482 GaAIAs INFRARED EMITTER Package Dimensions in Inches mm SFH480 .291 (7.4) .259 (6.6) .571 (14.5) .492(12.5) .209 (5.3) 197 (5.0) Anode W- 0.100 (254) 0 .1 8 9 (4.8) 0.181 (4 6) .018 (0.45) 106 (2 7 ) Glass Lens Chip Location
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SFH480
SFH481
SFH482
SFH480
SFH481
SFH480,
SFH481,
SFH482,
SFH480/481:
SFH482:
SFH 209
LM 4812
SFH402
IFT00
BPX66
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SFH482-1/FS2230
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS SFH480 SFH481 SFH482 GaAIAs INFRARED EMITTER Package Dimensions in Inches mm SFH480 291 (7 4) 259 (6 6) 571 (14 5) .4 9 2 (1 2 5) ,2 0 8 (5 .3 ) Anode 197 (5 0) A T 0 189 (4 8) 0.100 (2 54) T ~ e 0 181 (4 6) " I -.018'(0 45) 106 (2 7) G lass Lens
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SFH480
SFH481
SFH482
SFH480,
SFH481,
SFH482,
SFH480/481:
SFH482-1/FS2230
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SFH482
Abstract: BPX66 SFH480 VN 4302
Text: SIEMENS SFH480 SFH481 SFH482 GaAIAs INFRARED EMITTER Package Dimensions in Inches mm SFH480 291 (7.4) 259 (6.6) ,571 (14£L .492(12.5) ,2 0 8 (5 .3 ), 197 (5.0) Anode £ 0 . 100 " (2 54)_ 0 .189(4.8) S3.1B1 (4.6) T T T 018^(0 45) .106 (2.7) Glass Lens
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SFH480
SFH481
SFH482
SFH480
SFH480,
SFH481,
SFH482,
SFH460/481:
ctarlstic-SFH460
SFH482
BPX66
VN 4302
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siemens LD
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS LD 242 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2 .7 • p * Chip position 0 0 .4 5 Anode LD 2 4 2 , BPX 6 3 , SFH Cathode (S FH 464 483) A p p ro x. w eight 0 .5 g M a ß e in m m , w enn nicht and ers a n g eg eb en /D im en s io n s in m m , unless otherw ise specified.
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SFH302
Abstract: SFH203 IRF 426
Text: Si-Fotodetektoren und IR-Lumineszenzdioden Silicon Photodetectors and Infrared Emitters Outline drawings in mm Maßbilder (in mm) Figure 1 S u r 'a c e no* f la t in i Ö! °! Q .8 n a x ° G 1 GND 9.0 y t ' 0.5 S. ¡ 5.9 7.8 7.5 oo m ö o ¡ f t 1 C athode
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GE006270
SFH302
SFH203
IRF 426
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fotodiode oe 100
Abstract: siemens SFH nm SFH 462 BPY64 BPW 64 photo siemens germanium transistoren PX60 SIEMENS Phototransistors BPY siemens transistoren germanium
Text: SIEMENS Typenübersicht Selector Guide Inhaltsverzeichnis Fotodetektoren Contents Photodetectors Page Seite Fotomodul für Fernbedienungen.12 Photomodule for Remote Control Systems. 12
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