OSRAM IR emitter IRL
Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
PDF
|
Q68000-A7852
OSRAM IR emitter IRL
GEOY6391
OHFD1422
Q68000-A7852
|
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
|
Original
|
PDF
|
GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
|
Bpy 43
Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
Text: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)
|
Original
|
PDF
|
Q62702-P3595
Q62702-P3593
Q62702-P999
Q62702-P3594
Q6270
Q62702-P1677
Q62702-1129
Q62702-P216
Q62702-P956
Q62702-P1671
Bpy 43
BP 103-3
SFH 225 FA
BPX 43-3/4
SFH 309-3/4
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
PDF
|
|
STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
|
Original
|
PDF
|
|
GEOY6391
Abstract: OHFD1422 LPT80 LPT IC
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
PDF
|
Q68000A7y
GEOY6391
OHFD1422
LPT80
LPT IC
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Sidelooker, Epoxy • Special: High photosensitivity • Same package as IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
PDF
|
Q68000-A7852
Kunstst10
GEOY6391
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
|
Original
|
PDF
|
Q68000A7852
54-oice
|
phototransistor NPN
Abstract: phototransistor 600 nm LAMBDA phototransistor 500-600 nm "IR Emitter" FOTOTRANSISTOR fototransistor led Lambda Semiconductors lichtschranke Lambda 64
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 nm .1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz • Besonderheit des Bauteils:
|
Original
|
PDF
|
|
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
|
Original
|
PDF
|
GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
|
fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
|
Original
|
PDF
|
EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
|
LPT 80 A
Abstract: GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a
Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g
|
Original
|
PDF
|
feo06391
GEO06391
OHF00344
OHF00342
OHF00345
LPT 80 A
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
IRL80A
LPT IC
IRL81a
|
GEO06391
Abstract: OHFD1422 Q68000-A7852 IRL81
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
|
Original
|
PDF
|
Q68000-A7852
OHF00345
GEO06391
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
IRL81
|
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-08-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
photointerrupter
Abstract: aot 430
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 2.54 '2.03 r- cNj LO CO 1.70 1.45 GE006391 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified W esentliche Merkmale Features
|
OCR Scan
|
PDF
|
GE006391
Q68000-A7852
photointerrupter
aot 430
|
FP 310
Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Text: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26
|
OCR Scan
|
PDF
|
6N135
6N136
6N138
6N139
BPW21
H62702-P3051
Q62702-P3009
Q62702-P3057
Q62702-P3058
Q62702-P3054
FP 310
Q62902-B155-F222
Siemens LS 3369-fh
irl 3034
SCF 5784
KTY 11-5
KTY 20-5
KTY 14-6
Q68000-A7820
LG 57A
|
lg 6154
Abstract: KTY 10-8 DL1416 KTY 20-5 DL440 O62902-B156-F222 Q62901-B64
Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummern Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer lyp
|
OCR Scan
|
PDF
|
Q60215-Y62
O60215-Y63-S1
Q60215-Y65
Q60215-Y66
Q60215-Y67
Q60215-Y111-S4
Q60215-Y111-S5
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
lg 6154
KTY 10-8
DL1416
KTY 20-5
DL440
O62902-B156-F222
Q62901-B64
|
bpy 79
Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Text: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2
|
OCR Scan
|
PDF
|
BPW21
Q62702-P75
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
62702-P781
Q62702-P84
Q62702-P1605
Q62702-P885
bpy 79
irl 3034
bestellnummern-verzeichnis
Q62702-P1187
bf 478
Q62702-P935
Q62607-S61
sfh siemens
SFH415-T
siemens Bestellnummern-Verzeichnis
|
KTY 88
Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Text: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code
|
OCR Scan
|
PDF
|
Q60215-Y111-S5
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q60215-Y63-S1
Q60215-Y65
Q60215-Y66
Q60215-Y67
Q62607-S60
KTY 88
KTY 20-6
Q62902-B152-F222
Q62902-B156-F222
Q62703-N0191
Q62902-B155
Q62702-P1088
Q62702P946
Q62703-N209
Q62902-B155-F222
|
SFH 255 FA
Abstract: LR 2703 LY3360K dl340m FP310L100-75 Q68000-A8452
Text: AlphanumerischesTypenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems type Bestellnummer Seite Type Bestellnummer Seite
|
OCR Scan
|
PDF
|
068000-A5018
Q68000-A5017
Q68000-A5707
Q62703-N26
Q62703-N51
Q62703-N52
Q68000-A7302
Q68000-A7303
Q68000-A7304
Q68000-A8086
SFH 255 FA
LR 2703
LY3360K
dl340m
FP310L100-75
Q68000-A8452
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm
|
OCR Scan
|
PDF
|
LPT80A
PCE25
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 2. Fototransistoren 2. Phototransistors 2.2 im klaren Plastikgehäuse 2.2 in clear plastic package 7* = 25 C 7\ = 25C Package Type C vorher * formerly) SFH 309 NEW Ordering code / PC£ deg. mm2 mA V nm |i S ± 12
|
OCR Scan
|
PDF
|
Q62702-P859
Q62702-P996
Q62702-P997
Q62702-P998
Q62702-P999
Q62702-P1000
Q62702-P874
Q62702-P1667
Q62702-P1668
Q62702-P1189
|
BP103B
Abstract: No abstract text available
Text: Si-Fotodetektoren Package Type *ab4/95 (*as of 4/95) Silicon Photodetectors deg. Radiant sensitive area mm2 / poe(X=950 nm, fg —0.5 mW/cm2, VfcE=5V) mA s Fig. Kx=5V, Rl =1 k il) V us nm 0 045 35 Q 6 2 7 0 2 -P 8 5 9 3 8 0 . 1 180 CO ±12 5 Q 6 2 7 0 2 -P 9 9 6
|
OCR Scan
|
PDF
|
ab4/95)
SFH309
Q62702-P1000
SFH309P
Q68000-A7852-F114
BP103B
|
