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    NX8563LAS

    Abstract: NX8563LA
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX8563LA NX8563LA PL10428JJ02V0DS PL10161J PL10428JJ02V0DS PX10160J L044-435-1573 NX8563LAS

    NS2009

    Abstract: 10 gb PIN receiver 10G ER ROSA SFP10
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NR3313TQ OC-192 PL10775JJ01V0DS PL10775JJ01V0DS PX10160J NS2009 10 gb PIN receiver 10G ER ROSA SFP10

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX6309GH 1 310 nm 帯 InGaAsP MQW-DFB レーザダイオード 1.25 Gb/s FTTH PON 用 NX6309GH は，1 310 nm 帯光通信用 MQW（Multiple Quantum Well：多 重量子井戸）-DFB（Distributed Feed-Back：分布帰還）構造を採用したレー


    Original     		PDF NX6309GH NX6309GH PL10693JJ03V0DS PL10690 PL10693JJ03V0DS PX10160J

    MA 20103

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX6411GH 1 490 nm 帯 InGaAsP MQW-DFB レーザダイオード 2.5 Gb/s FTTH PON 用 NX6411GH は，1 490 nm 帯光通信用 MQW（Multiple Quantum Well：多 重量子井戸）-DFB（Distributed Feed-Back：分布帰還）構造を採用したレー


    Original     		PDF NX6411GH NX6411GH PL10644JJ04V0DS PL10644JJ04V0DS PX10160J MA 20103

    NX7537BF-AA

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX7537BF-AA PL10605JJ02V0DS 02V0DS M8E02 PL10605JJ02V0DS NX7537BF-AA

    NX8562LF

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX8562LF PL10214JJ03V0DS PL10161J PL10214JJ03V0DS PX10160J L044-435-1573 NX8562LF

    NX7539BB-AA

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX7539BB-AA PL10607JJ02V0DS 02V0DS M8E02 PL10607JJ02V0DS NX7539BB-AA

    NX7538BF-AA

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX7538BF-AA PL10606JJ02V0DS 02V0DS M8E02 PL10606JJ02V0DS NX7538BF-AA

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX7337BJ-AA PL10757JJ01V0DS NX7337BJ- PL10757JJ01V0DS PX10160J

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX7335 NX7335AN-AA NX7335BN-AA PL10756JJ01V0DS PL10756JJ01V0DS PX10160J

    10 gb laser diode

    Abstract: NX8346TY
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX8346TB NX8346TY NX8346TB, OC-192 PL10722JJ01V0DS PX10160J 10 gb laser diode NX8346TY

    NX6410GH

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX6410GH 1 490 nm 帯 InGaAsP MQW-DFB レーザダイオード 2.5 Gb/s FTTH PON 用 NX6410GH は，1 490 nm 帯光通信用 MQW（Multiple Quantum Well：多 重量子井戸）-DFB（Distributed Feed-Back：分布帰還）構造を採用したレー


    Original     		PDF NX6410GH NX6410GH PL10643JJ04V0DS PL10643JJ04V0DS PX10160J

    STM-16

    Abstract: MA 20103
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX8316XC 1 310 nm 帯 InGaAsP MQW-DFB レーザダイオード TOSA 2.5 Gb/s（ロングホール）用 NX8316XC は，1 310 nm 帯光通信用 MQW（Multiple Quantum Well：多重 量子井戸）-DFB（Distributed Feed-Back：分布帰還）構造を採用した LC コ


    Original     		PDF NX8316XC NX8316XC STM-16 OC-48 PL10790JJ01V0DS PL10790JJ01V0DS NX8316X0 STM-16 MA 20103

    NX7338BF-AA

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX7338BF-AA PL10603JJ02V0DS PDF02V0DS M8E02 PL10603JJ02V0DS NX7338BF-AA

    766d

    Abstract: 362d 315D 346D 377D 409D 967D 393d 58118 457D
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX8571 NX8571SC× PL10136JJ04V0DS PL10161J PX10160J PL10136JJ04V0DS 766d 362d 315D 346D 377D 409D 967D 393d 58118 457D

    MA 20103

    Abstract: No abstract text available
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX6308GH 1 310 nm 帯 InGaAsP MQW-DFB レーザダイオード 1.25 Gb/s FTTH PON 用 NX6308GH は，1 310 nm 帯光通信用 MQW（Multiple Quantum Well：多 重量子井戸）-DFB（Distributed Feed-Back：分布帰還）構造を採用したレー


    Original     		PDF NX6308GH NX6308GH PL10692JJ03V0DS PL10692JJ00 PL10692JJ03V0DS PX10160J MA 20103

    MA 20103

    Abstract: PX10160J
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX7639BB-AA 1 625 nm 帯 InGaAsP MQW-FP レーザダイオード OTDR 用同軸型モジュール NX7639BB-AA は，シングルモード・ファイバ付き同軸型モジュールで， 1 625 nm 帯 MQW（Multiple Quantum Well：多重量子井戸）-FP（Fabry-Perot）


    Original     		PDF NX7639BB-AA PL10795JJ01V0DS PL10795JJ01V0DS PX10160J MA 20103 PX10160J

    MA 20103

    Abstract: NX8517XC 532 nm laser diode
    Text: データ・シート レーザダイオード Laser Diode NX8517XC シリーズ 1 470~1 610 nm 帯 InGaAsP MQW-DFB レーザダイオード TOSA 2.5 Gb/s, CWDM 用 NX8517XC は，1 470∼1 610 nm 帯光通信用 MQW（Multiple Quantum Well：多重量子井戸）-DFB（Distributed Feed-Back：分布帰還）構造を採用


    Original     		PDF NX8517XC NX8517XC 610nmCWDM PL10791JJ01V0DS PL10791JJ01V0DS MA 20103 532 nm laser diode

    NX5330SA

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX5330SA NX5330SA PL10699JJ01V0DS PL10699JJ01V0DS PX10160J

    NX8313UD

    Abstract: STM-16 mw2000
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX8313UD NX8313UD STM-16 OC-48 J01V0DS M8E02 PL10645JJ01V0DS STM-16 mw2000

    10 gb laser diode

    Abstract: Laser 405 nm
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX8346TS NX8346TS PL10723JJ01V0DS PX10160J 10 gb laser diode Laser 405 nm

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX5323EH NX5323EH PL10741JJ01V0DS PX10160J

    STM 3503

    Abstract: STM-16 STM4 APD NR3470MU-CC NR3510UR NR4270MU-CC NR4500BP-CC NR4500CP-CC NR4510UR NR7500
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NR4510UR STM-16 ROSA12 PL10431JJ01V0DS NR4500CP-CC STM 3503 STM-16 STM4 APD NR3470MU-CC NR3510UR NR4270MU-CC NR4500BP-CC NR4500CP-CC NR4510UR NR7500

    NX5321EH

    Abstract: NX5321
    Text: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社


    Original     		PDF NX5321 NX5321 PL10739JJ02V0DS PX10160J NX5321EH