AT30
Abstract: PAH3012 PAH3016
Text: THYRISTOR MODULE 66A / 1200 to 1600V P AT30 12 P AT30 16 PAH3012 PAH3016 FEATURES * Isolated Base * Dual Thyristors or Thyristor and Diode Anti-Parallel Circuit * High Surge Capability * UL Recognized, File No. E187184 OUTLINE DRAWING φ TYPICAL APPLICATIONS
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Original
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PAH3012
PAH3016
E187184
PAT/PAH3016
PAT/PAH3012
200mA
PAT/PAH301x
AT30
PAH3012
PAH3016
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: THYRISTOR 66A RMS 1200~1600 Volts •回路図 CIRCUIT PAT3012 PAT3016 PAH3012 PAH3016 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） PAT K2 G2 3 1 K1 G1 PAH 3 1 K1 G1 ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧
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Original
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PAT3012
PAT3016
PAH3012
PAH3016
PAT3012/PAH3012
25ITM
200mAdiG/dt
125VD
125ITM
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: THYRISTOR 66A RMS 1200~1600 Volts •回路図 CIRCUIT PAT K2 G2 PAH 3 1 3 1 PAT3012 PAT3016 PAH3012 PAH3016 K1 G1 K1 G1 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） φ φ ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter
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Original
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PAT3012
PAT3016
PAH3012
PAH3016
PAT3012/PAH3012Gate
25ITM
200mAdiG/dt
125VD
125ITM
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PAH3012
Abstract: PAH3016 PAT3012 PAT3016 thyristor T 218 N
Text: THYRISTOR 66A RMS 1200~1600 Volts •回路図 CIRCUIT PAT K2 G2 PAH 3 1 3 1 PAT3012 PAT3016 PAH3012 PAH3016 K1 G1 K1 G1 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） φ φ ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter
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Original
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PAT3012
PAT3016
PAH3012
PAH3016
PAT3012/PAH3012
PAT3016/PAH3016
25ITM
125VDM
125VD
PAH3016
PAT3016
thyristor T 218 N
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ •回路図 PAT3016 PAH3016 66Ａ RMS 1600 Ｖolts CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ ■最大定格 Ｍaximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage
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Original
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PAT3016
PAH3016
200mAï
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PT76S16
Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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508RP
Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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PDM5001
Abstract: PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16
Text: Contents Page Rectifier Diode PH PC PD PE PF PB PT C2 C3 C4,C5 C5 C6 C6 C7,C8 Fast Recovery Diode PH-F, PC-F, PD-F P2H-F C9 C10 Schottky Barrier Diode PC-Q, PE-Q, PQ-Q P2H-Q C11 C12 Thyristor plus Diode PHT PDT PAT PFT PAH PCH PDH PKH PBH, PBH-A, PBF PGH
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Original
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C3557
PH1503
PH150
PDM5001
PDT400N16
pah60n8cm
PHMB50E6CL
PHT250N16
PHT400N16
PD100KN16
PAH100N8CM
PT76S16
PAT400N16
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FCGS20A12
Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
Text: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: THYRISTOR MODULE 30A / 1200 to 1600V P A T 3 0 1 2 P A T 3 0 1 6 P A H 3 0 1 2 P A H 3 0 1 6 FEATURES * Isolated Base * Dual Thyristors or Thyristor and Diode Anti-Parallel Circuit * High Surge Capability * UL Recognized, File No. E187184 OUTLINE DRAWING φ
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E187184
PAT/PAH3012
PAT/PAH3016
200mA
PAT/PAH301x
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