p5003qv
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34600AA-N •General Description ■Features ELM34600AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40.0mΩ(Vgs=4.5V)
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ELM34600AA-N
ELM34600AA-N
DEC-19-2005
P5003QVG
p5003qv
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P5003QVG
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特長 ELM34600AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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ELM34600AA-N
DEC-19-2005
P5003QVG
P5003QVG
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P70N02LDG
Abstract: p0603bdg P60N03LDG PA102FDG P2503NPG P45N02LDG P0603BD P1703BDG P0403BDG P3004ND5G
Text: PRODUCT SELECTION GUIDE NIKO-SEM Surface-Mount And Through-Hole Power MOSFET Part Number BVDSS V VGS@ 2.5V RDS(ON) Max (mΩ) VGS@ VGS@ 4.5V 10V Ciss(Typ.) (pF) Qg(Typ.) RθJC VGS(th) (nc) ℃/W Max (V) ID (A) PD (W) TO-263 /220 N-Channel P45N02LSG P45N03LTG
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O-263
P45N02LSG
P45N03LTG
P75N02LSG
P75N02LTG
P0903BSG
P0903BTG
P3055LSG
P3055LTG
P50N03LSG
P70N02LDG
p0603bdg
P60N03LDG
PA102FDG
P2503NPG
P45N02LDG
P0603BD
P1703BDG
P0403BDG
P3004ND5G
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34600AA-N •General Description ■Features ELM34600AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40.0mΩ(Vgs=4.5V)
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ELM34600AA-N
ELM34600AA-N
20Current
DEC-19-2005
P5003QVG
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复合
Abstract: ELM34600AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特点 ELM34600AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds on < 27.5mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V)
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ELM34600AA-N
DEC-19-2005
P5003QVG
复合
ELM34600AA
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