GETY6090
Abstract: SFH400
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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Original
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880nm
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GET06090
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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OHR01888
GET06090
GET06090
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GEO06314
Abstract: GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1
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Original
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00881
OHR00948
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
Q62703-Q1667
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emit 480
Abstract: SFH482
Text: 2012-01-19 GaAlAs Infrared Emitters 880 nm GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 480, SFH 482 SFH 480 SFH 482 Features: Besondere Merkmale: • Typical peak wavelength 880nm • Hermetically sealed package • Same package as SFH 216 • Typische Peakwellenlänge 880nm
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Original
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880nm
D-93055
emit 480
SFH482
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Q62703-Q4752
Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
Q62703-Q4752
diode 482
diode SR 315
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1665
Q62703-Q1668
SFH480
Q62703Q1087
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BPX osram
Abstract: SFH 291 E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
BPX osram
SFH 291
E7800
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BPX osram
Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186 opto 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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OHR01888
GETY6090
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 482 SFH 480 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Typische Peakwellenlänge 880nm Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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880nm
480-oice
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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all220)
GETY6091
GETY6013
GEOY6314
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opto 7800
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 4811), SFH 482 SFH 480 SFH 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new design Wesentliche Merkmale Features • • • • • • •
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880nm
opto 7800
E7800
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IR photodetectors
Abstract: diode SR 315 E7800 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00881
OHR00948
OHR00396
IR photodetectors
diode SR 315
E7800
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
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GET06090
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Preliminary Data 2.7 ø4.8 ø4.6 5.3 5.0 7.4 6.6 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06090 fet06090 14.5 12.5 1.1 .9 0 Cathode Chip position 2.54mm spacing ø0.45 Wesentliche Merkmale ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
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GET06090
fet06090
OHR01869
OHR01870
OHR01462
OHR01871
OHR01888
GET06090
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401
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GE006314
GET06091
GET06013
OHR00881
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