4510
Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse
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Original
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GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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Q62702-P0330
Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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ipc 9501
Abstract: radiant 4010
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter SFH 4010 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: LxBxH 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
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Original
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950nm
ipc 9501
radiant 4010
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transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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GPLY6724
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4211 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich
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Original
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TOPLED with Lens
Abstract: GEOY6956 Q62702
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
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Original
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GPLY6057
Abstract: J-STD-020B OHLA0687 OHPY1301
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
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Original
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GMOY6078
Abstract: Q65110A0136
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2
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Original
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0118G
GMOY6078
Q65110A0136
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GEO06645
Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode
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Original
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fexf6626
GEO06645
fex06630
GEX06630
OHR01553
OHR00860
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
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Original
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marking code 54
Abstract: Marking Code Sorted by Type SFH 110 GPLY6724 GPLY6880 960nM
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
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Original
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SFH4512
Abstract: 4512
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512 Features: • • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED 5mm plastic package Peak Wavelength 950nm Spectral match with silicon photodetectors High radiant intensity
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Original
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950nm
D-93055
SFH4512
4512
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GMOY6078
Abstract: OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0118G Wesentliche Merkmale Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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0118G
GMOY6078
OHRD1938
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d 4515
Abstract: applications 4510 4510 GEO06968 GEO06969 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821 4510 chip
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • SMR (Surface Mount Radial) Gehäuse • Für Oberflächenmontage geeignet
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Original
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GEO06968
GEO06969
d 4515
applications 4510
4510
GEO06968
GEO06969
OHRD1938
Q62702-P1798
Q62702-P1821
4510 chip
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4511
Abstract: 4511 datasheet SFH 4511 datasheet GEXY6051 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 4511 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Peakwellenlänge 950nm • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Sehr enger Abstrahlwinkel ± 4° • Hohe Strahlstärke
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Original
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950nm
4511
4511 datasheet
SFH 4511 datasheet
GEXY6051
OHRD1938
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-05-15 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 4512 Features: Besondere Merkmale: • • • • • • • • • • • • Very highly efficient GaAs-LED 5mm plastic package Peak Wavelength 950nm Spectral match with silicon photodetectors
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Original
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950nm
D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-01-16 GaAs Infrared Emitter in SMT Package GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1.0 not for new design SFH 425 Features: • • • • • • • Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4244 for SFH 425 High reliability High pulse handling capability
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Für Neuentwicklungen / for new designs Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm
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