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    GMOY6078

    Abstract: Q65110A0136
    Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2


    Original     		PDF 0118G GMOY6078 Q65110A0136

    GMOY6078

    Abstract: OHRD1938
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0118G Wesentliche Merkmale Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original     		PDF 0118G GMOY6078 OHRD1938

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode mit erhöhter Strahlungsleistung 950 nm GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 20 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse


    Original     		PDF 0118G