opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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OHR01461
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
current sensor 7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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GETY6625
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2007-12-07
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
OS-PCN-2009-021-A2
OS-PCN-2009-021-A2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2007-04-02
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-05-21 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800 Features: Besondere Merkmale: • High Power Infrared LED • Anode is electrically connected to the case
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Original
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OS-PCN-2009-021-A2
E7800
OS-PCN-2009-021-A2
D-93055
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
E7800
GETY6625
OHLY0598
measurement of humidity in das
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SFH483ME7800
Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
SFH483ME7800
SFH483-M
sfh483m
LME7800
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2006-12-07
E7800
Q62703Q4755
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E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01461
OHR01457
E7800
GET06625
Q62702-Q1745
sfh4641
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
E7800
GETY6625
OHLY0598
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din 40 040 gqg
Abstract: high power infrared LEd sfh4850e7800
Text: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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Original
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E7800
850nm
din 40 040 gqg
high power infrared LEd
sfh4850e7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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Original
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E7800
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opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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SFH4881b
OHR00948
GET06625
opto 7800
E7800
GET06625
7800 opto
opto 7800 a
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
GETY6625
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil
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Original
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E7800
D-93055
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7800 opto
Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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A52 opto sensor
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
A52 opto sensor
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LME7800
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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E7800
LME7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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E7800
850nm
850nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil
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Sam1998-07-15
SFH464
OHR01457
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter 2.7 00.45 SFH 483 Chip position A CO 1 -; o o 3.6 ‘i 1.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g IO C\J CO CO o M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.
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OHR01457
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