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    BPX65

    Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
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    BPX osram

    Abstract: E7800 242-E7800
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,


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    E7800

    Abstract: GETY6625 OHLY0598
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel


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    it 401 a

    Abstract: Q62702P0097
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    SFH 350 V

    Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091


    Original
    PDF GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00395 OHR01937 SFH 350 V GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98

    Q62702P0097

    Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
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    OHRD1938

    Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF GEO06314 GET06091 GET06013 OHRD1938 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960

    BPX osram

    Abstract: E7800 GETY6625 Q62703Q015
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel


    Original
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    GEO06314

    Abstract: GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091


    Original
    PDF GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR01040 OHR01937 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62

    BPX osram

    Abstract: E7800 GETY6625 Q62703-Q3509
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    OHRD1938

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    SFH400

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF GETY6091 GEOY6314 GETY6013 SFH400

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


    Original
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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 242 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden


    Original
    PDF D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


    Original
    PDF E7800 Q62703-Q151 Q62703-Q4749 Q62703-Q3509 OHR01877 GETY6625

    opto 7800

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel


    Original
    PDF E7800 opto 7800

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401 SFH 400 SFH 401 Features: Besondere Merkmale: • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit


    Original
    PDF D-93055

    opto 7800

    Abstract: E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


    Original
    PDF Photoin10 OHR01877 GET06625 opto 7800 E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a

    din 40 040 gqg

    Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16
    Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF GET06625 fet06625 OHR01937 OHR01877 din 40 040 gqg E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16

    BPX osram

    Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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