BPX65
Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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BPX osram
Abstract: E7800 242-E7800
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
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Original
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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it 401 a
Abstract: Q62702P0097
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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SFH 350 V
Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091
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Original
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00395
OHR01937
SFH 350 V
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62702-P784
Q62702-P786
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
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Q62702P0097
Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
OHRD1938
Q62702-P784
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
BPY 62
SFH 960
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 Q62703Q015
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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GEO06314
Abstract: GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091
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Original
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GEO06314
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OHR01040
OHR01937
GEO06314
GET06013
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Q62702-P784
Q62702-P786
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
BPY 62
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 Q62703-Q3509
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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OHRD1938
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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SFH400
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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GETY6091
GEOY6314
GETY6013
SFH400
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 242 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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E7800
Q62703-Q151
Q62703-Q4749
Q62703-Q3509
OHR01877
GETY6625
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opto 7800
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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E7800
opto 7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401 SFH 400 SFH 401 Features: Besondere Merkmale: • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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D-93055
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opto 7800
Abstract: E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse
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Original
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Photoin10
OHR01877
GET06625
opto 7800
E7800
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
opto 7800 a
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din 40 040 gqg
Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01937
OHR01877
din 40 040 gqg
E7800
GET06625
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
MSE16
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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